L波段宽带功率放大器-研究.pdfVIP

电了科技大学硕上论文 综上所述，宽带功率放大器的应用价值和重要性已经体现的非常清楚。 然而，以国内目前的微波电路设计和加工工艺水平，研制这样高性能模块 有较大的难度。而且，基于国家安全、专利和商业竞争等因素考虑，我们 都无法直接从国外获得如此高性能的成品模块。因此，进行多倍频程宽带 功率放大器研究是非常紧迫而极具现实意义的。 §1．2国内外研究动态 ofNaval 1996年，由美国海军研究局(Office Research)资助的多学 Research 科大学创新研究计划(MultidisciplinaryUniversity Initiative，简称 MuRI)立项研究多倍频程、高功率、高效率的放大器I31，其目的是为他们 提出的高级多功能射频系统(AdvancedMultifunctionRF Systems)中的相 控阵雷达提供功率源，其研究成果也可以转作移动通信和卫星通信等商业 用途。为此，他们在晶体管器件结构、器件材料、半导体制作工艺、MMIC 单片和混合集成电路结构以及功率合成等方面都提出了新的概念和设计方 案，它代表了现今宽带功放的发展方向。该项目由Cornell大学承接，在 目前公开的报告中己成功研制了三代GaN功率放大器。 第一代功率放大器f4J采用改进的行波放大器结构，使用4个栅长 达4．5W。但是，4只HEMT不能均匀驱动限制其功率附加效率低于15％。 并使用倒扣焊来解决散热问题。该放大器具有3～100Hz带宽，小信号增 益是7dB，在8GHz处最高输出功率可达8．5W，功率附加效率达到20％。 第三代功率放大器【61融合了第一代行波式结构的宽频带和第二代功率 合成结构的高效率的优点，采用改进的2×2矩阵行波功率放大器结构。先 电子科技大学硕J：论文 形如2×2矩阵。最终，研制成功的放大器具有1～6GHz的带宽，输出功 率高达7．5W，功率附加效率达到25％。据作者所知，这是目前报道过的 最高性能的宽带功放。 率，同时产生l～2GHz的瞬时带宽和12dB的小信号增益。此功放模块可 工作于两种状态：A状态为线性放大器，输出功率为10W；B状态典型效率为 55％，输出功率为15W。此功放输入／输出驻波比小于1．45。 功率附加效率为25％。 国内方面，南京电子器件研究所研制出了2—6GHz宽带单片功率放大 la111HFET 器。该宽带单片功率放大器在南京电子器件研究所3英时0．5 MMIC工艺线上完成，其拓扑结构使用多级电抗匹配实现高增益、大功率， 并建立晶体管的宽频带大信号模型以保证设计的准确性。其主要性能指标 如下：带宽2—6GHz；输出功率4．5W：功率附加效率25％；增益平坦度 ±ldB：输入输出驻波LE2。 南京电子器件研究所研制成功的7--18GHz宽带大功率放大器，具有比 PHEMTMMIC 较优异的性能。该宽带单片功率放大器采用76mm、0．5“m 工艺线完成。放大器的拓扑结构采用两级有耗匹配方式，双路信号在片内用 Lange桥直接合成，体积较小，从而实现高增益、大功率。宽频带大信号模型 的建立是其中的关键，利用微波在片测试系统结合模型提取软件进行非线 性模型的提取，并利用负载牵引系统对提取的模型进行验证、优化。利用先 进的微波CAD软件ADS及独到的CAD优化技巧并与实际经验相结合，设 计出该宽带功率放大器。主要性能如下：在7～18GHz频率范围内，典型输出 入驻波比≤2；输出驻波比≤2。 中国电子科技集团第十三研究所曾研制出多款不同频段的宽带中功率 放大器【7~9】，输出功率都不是很高。该所赵夕彬利用推挽MOSFET晶体管， 通过采用传输线变压器宽带匹配技术，研制出一种宽频带高功率放大器模