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中周模型在Multisim中的实现 　　 摘 要：为了解决用Multisim仿真高频单谐调谐振放大模块无中周模型的问题，通过对高频小信号放大模块的理论分析，总结出用LC电路模型替代中周电路模型的方法，做了高频单谐调谐振放大模块的仿真实验，获得了正确的仿真实验结果，该方法对用Multisim仿真高频谐调谐振放大模块具有借鉴意义。 　　 　　关键词：高频电子； 谐振放大器； 中周； Multisim仿真 　　中图分类号：TN722-34 　　文献标识码：A 　　文章编号：1004-373X(2012)01-0195-04 　　 　　Implementation of intermediate frequency model in Multisim 　　 　　YIN Guo-dong， ZHANG Min 　　(Harbin Institute of Technology at Weihai, Weihai 264209, China) 　　?オ? 　　Abstract： 　　To solve the problem that there is no intermediate frequency model based on Multisim, through theoretical analysis of the high-frequency small-signal amplification module, LC circuit model is summarized to substitute intermediate frequency model. The simulation of high-frequency single-resonator amplifier module is performed. The correct simulation results are obtained. This method should be used for reference for the simulating the high-frequency single-resonator amplifier based on Multisim. 　　 　　Keywords： high-frequency electronic; resonator amplifier; intermediate frequency; Multisim simulation 　　?オ? 　　 　　 　　收稿日期：2011-09-21 　　0 引 言 　　高频单谐调谐振放大器实验是高频电子教学的一个重要组成部分。中周在该实验中损耗较多，增加了学生从理论上分析高频小信号放大器的难度。 　　随着计算机仿真软件的发展，Multisim仿真教学实验方式逐渐兴起。Multisim包含丰富的虚拟仪器和电子元件库，学生可方便地完成原理图的设计、仿真、原型设计和测试。但在Multisim中没有中周模型，通过对单谐调谐振放大器的原理分析，提出了中周模型仿真的替代方法，取得了满意的仿真效果，实验对Multisim仿真单谐调谐振放大模块具有借鉴意义。 　　1 高频单谐调谐振放大器的原理及参数 　　高频单谐调谐振电路图[1]如图1所示。其主要指标如下： 　　1.1 谐振频率 　　电路的谐振频率f0的表达式为： 　　f0=12πLCΣ 　　(1) 　　式中： 　　L为电感线圈的电感量;CΣ为调谐电路的总电容[2];CΣ=C+P21Coe+P22Cie;Coe为晶体管的输出电容，Cie为晶体管的输入电容，P1为初级线圈的抽头系数，P2为变压器T1的变比。 　　 　　图1 高频单谐调谐振电路图 　　1.2 电压放大倍数 　　电压放大倍数Av0为： 　　Av0=－vovi=－P1P2yfegΣ 　　=－P1P2yfeP21goe+P22gie+G 　　(2) 　　1.3 通频带 　　电压放大倍数Av0下降到0.707倍所对应的频率范围称为放大器的通频带Bw[3]，其表达式为： 　　Bw=2Δf0.7=f0/QL 　　(3) 　　式中QL为谐振电路的有载品质因数。 　　1.4 矩形系数 　　矩形系数Kv0.1为电压放大倍数下降到0.1倍的Av0时对应的频率与通频带Bw之比，即: 　　Kv0.1=2Δf0.1/2Δf0.7=2Δf0.1/Bw 　　(4) 　　2 仿真参数估算 　　放大器工作在高频条件下，根据晶体管的π参数模型设计谐振等效电路[4-5]如图2所示。 　　 　　图2 放大器的高频等效电路 　　晶体管参数yie,yoe,yfe和yre分别为： 　　输入导纳: