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图、表清单
图 1. 1 典型绝缘体、半导体及导体的电导率范围 3
图 1. 2 硅片外圆切割机 4
图 1. 3 硅片内圆切割机 4
图 1. 4 多线切割示意图 5
图 1. 5 多线切割现场 5
图 1. 6 电火花线切割单晶硅片现场图 8
图 1. 7 电火花线切割单晶硅片实物图 8
图 2. 1 放电加工原理示意图 9
图 2. 2 放电微观过程 12
图 2. 3 金属放电凹坑示意图 14
图 2. 4 变质层厚度变化规律图 15
图 2. 5 放电蚀除微粒扫面电子显微镜图 16
图 2. 6 出现在放电蚀坑底部的小孔 16
图 2. 7 极间能量分配及传递 16
图 2. 8 放电柱端部跳跃与移动示意图 18
图 2. 9 80V/30us 时扫描电子显微图 错误!未定义书签。
图 2. 10 130V/30us 扫描电子显微图 错误!未定义书签。
图 2. 11 高斯旋转体热源示意图 20
图 2. 12 热应力蚀除微粒 17
图 2. 13 加工表面放电蚀坑形貌 SEM 图 22
图 2. 14 放电蚀除示意图 22
图 2. 15 加工前表面状况 22
图 2. 16 加工后表面腐蚀形貌 24
图 3. 1 DK7732T 型高速走丝线切割机床 26
图 3. 2 单晶硅电火花线切割装置三维结构图 27
图 3. 3 电火花线切割装置二维原理图 27
图 3. 4 改装电源实物图 28
图 3. 5 放电脉冲发生控制系统 28
图 3. 6 脉冲电源原理图 29
图 3. 7 金属放电加工波形图 29
图 3. 8 单晶硅放电加工电波形图 29
图 3. 9 伺服进给控制系统 30
图 3. 10 正极性加工 P 型单晶硅原理图 30
图 3. 11 加工后切缝实物图 31
图 3. 12 腐蚀速度示意图 32
VI
VII
VII
VIII
VIII
图 3. 13{100}面择优腐蚀蚀坑 33
图 3. 14{110}面择优腐蚀蚀坑图 33
图 3. 15 机械加工表面择优腐蚀坑 33
图 3. 16 光学工具测量显微镜实物图 34
图 3. 17 JSM-6360LV 型电子扫面显微镜 35
图 3. 18 表面三维形貌轮廓仪 36
图 3. 19 测试示意图 36
图 4. 1 工作液为水时加工表面 EDS 图 38
图 4. 2 加工表面 EDS 分析 39
图 4. 3 复合工作液中加工后表面 EDS 分析图谱 39
图 4. 4 加工前硅片表面状况 40
图 4. 5 硅片电解/电化学腐蚀图 40
图 4. 6 经过化学清洗后硅片表面的 EDS 图 40
图 4. 7 电火花线切割硅片表面光学显微图 41
图 4. 8 三维形貌轮廓图 42
图 4. 9 加工表面原始轮廓曲线 42
图 4. 10 WEDM-HS 硅片切割试验系统示意图 43
图 4. 11 单脉冲放电蚀坑电火花线切割试验示意图 44
图 4. 12 单晶硅表面放电蚀坑 44
图 4. 13 金属表面放电蚀坑 44
图 4. 14 加工电压 130V、脉冲宽度 5 μs 45
图 4. 15 加工电压 170V、脉冲宽度 5 μs 45
图 4. 16 加工电压为 80 V 时放电凹坑 45
图 4. 17 加工电压为 130V 时放电凹坑 45
图 4. 18 加工电压为 170V 时放电凹坑 46
图 4. 19 SPSS Statistics 17.0 数据处理软件操作界面 47
图 4. 20 迭代过程流程图 47
图 4. 21 最后结果输出 48
图 4. 22 表面轮廓图形 48
图 4. 23 表面粗糙度随加工电压变化规律图 49
图 4. 24 表面粗糙度随脉冲宽度的变化规律 50
图 4. 25 表面粗糙度随脉冲间隔的变化规律 50
图 4. 26 表面粗糙度轮廓的最大高度 Rz 的确定 51
图 4. 27 不同参数下三维形貌轮廓图 52
图 4. 28 不同参数下原始表面轮廓曲线 52
图 5. 1 抛光后硅片表面状况图 54
图 5. 2 切缝边缘的崩裂现象 56
图 5. 3 电火花线切割试验示意图 56
图 5. 4 电火花线切割试验硅片进电示意图 56
图 5. 5 裂纹深度随加工电压变化规律 57
图 5. 6 加工电压 100V 放电波形 58
图 5. 7 加工电压 170V 放电波形 58
图 5. 8 80V/30μ s 时无裂纹产生 58
图 5. 9 100V/3
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