磁性薄膜的反常霍尔效应和磁性研究-物理电子学专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 南京邮电大学学位论文原创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过 的研究成果，也不包含为获得南京邮电大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 本人学位论文及涉及相关资料若有不实，愿意承担一切相关的法律责任。 研究生签名： 日期： 南京邮电大学学位论文使用授权声明 本人授权南京邮电大学可以保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子文 档；允许论文被查阅和借阅；可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索； 可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。本文电子文档的内容和纸质 论文的内容相一致。论文的公布（包括刊登）授权南京邮电大学研究生院办理。 涉密学位论文在解密后适用本授权书。 研究生签名： 导师签名： 日期： 摘要 纳米铁磁金属薄膜，近年来不再限于宏观的、静态的物质磁性，而是随着研究的不断深 入，研究方向逐渐拓展到运动的、单电子的自旋变化。于是实验上自旋霍尔效应、反常霍尔 效应、隧道磁阻（Tunneling Magnetoresistance，TMR）和庞磁阻效应（Colossal magnetoresistance， CMR）、自旋量子霍尔效应等一系列新的现象应运而生，并由此拓展产生一个结合磁学与微 电子学的研究领域：自旋电子学。 反常霍尔效应（anomalous Hall effect，AHE）是自旋电子学研究课题中的热点之一。因 为霍尔于 1889 年就已经发现了反常霍尔效应，但是关于其机理有两种说法，一是来自于非本 征机制，另一种是本征机制。至今两种机制的争论还在继续。因此对其进行研究显得尤为重 要。本文以 Fe-N 系化合物薄膜、CoCrPt 薄膜为研究对象，对其微结构、磁性、输运特性特 别是反常霍尔效应进行了系统研究。主要工作和研究成果如下： （1）在室温下采用射频磁控溅射方法制备氮化铁薄膜，研究了不同氮含量条件下薄膜的导电 机制。实验结果表明：随着氮含量的增加，观察到薄膜的导电机制从金属过渡到半导体。 （2）霍尔电阻的测量表明所有氮化铁薄膜样品在高电阻区域反常霍尔电阻率与纵向电阻率的 标度关系为线性，即反常霍尔效应遵循斜散射机制，但相应的反常霍尔电导率与纵向电导率 的关系不总是呈线性。 （3）采用磁控溅射方法制备CoCrPt薄膜并系统研究了衬底层Cu层厚度对薄膜结构、磁性、 反常霍尔效应的影响，结果表明所有样品具有良好的垂直磁性(PMA)。随着Cu层厚度的增加， 矫顽力 H c 变小，颗粒之间的相互作用变强。矫顽力 H c 的变化是由颗粒之间的交互作用引起 的。薄膜样品的标度指数从n=1.46变到n=1，这表明反常霍尔效应机制由斜散射和边跳机制的 共同作用转变为单纯的斜散射，同时也表明Cu层厚度较薄的样品无序度较高。此趋势与样品 中的弱局域化效应一致。 关键词: 磁控溅射方法 ，反常霍尔效应 ，标度律 ，垂直磁性 ，弱局域化 I Abstract Recently, the research about the nano-metal thin films which have ferromagnetic order is not limited to static and macro magnetism but expanded to spin dynamics in transport, even in the single electron limit. Experimentally, spin Hall effect, anomalous Hall effect, the tunneling magneto-resistance(TMR) and Colossal magnetoresistance(CMR), quantum spin Hall effect are typical new phenomena found in this area. It has been developed into a comprehensive discipline which contains magnetism and microelectronics, and has a specific name as spintronics. Anomalous Hall effect is one of the most fascinating problem among various topics. Because it is dis