磁控溅射旋转圆柱阴极靶关键技术的研究与结构设计-机械工程专业论文.docx

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磁控溅射旋转圆柱阴极靶关键技术的研究与结构设计-机械工程专业论文

磁控溅射旋转圆柱阴极靶关键技术的研究与结构设计 摘 要 磁控溅射 旋转圆柱 阴极靶(简称旋转靶)自发明至今,已经被广泛的应用 于工业化制备大面积功能薄膜的生产中。虽然经历了几十年的发展和创新,旋 转靶在工业生产中 仍然存在着 如下问题:在靶材表面上垂直 于电场的磁场分布 不均匀,造成靶材被溅射刻蚀不均匀,使靶材利用率降低;阴极冷却 换热参数 设置不合理,使得靶不能充分冷却,造成其工作稳定性差,最终影响镀膜质量。 论文基于 辉光放电 、磁控溅射、等离子体、电磁场和传热学的基本理论,对旋 转靶的关键技术进行了系统的研究 。实现了工业化规模生产用的一种新型磁场 结构的旋转靶设计的研究目标。 首先,利用 ANSYS 有限元方法 模拟计算 ,得到了旋转靶磁控阴极 垂直于 电场方向的磁场分量 Bx 在靶材表面上的二维磁场分布规律。并通过改变磁铁 的宽和高、磁铁间夹角等关键参数,以及 在两边磁铁与靶材间设置 可移动磁性 挡板等方法来提高 Bx 的磁场强度和扩大靶材被溅射所覆盖的表面积。 其次,计算了阴极靶产生的热量,分析了稳态工作 时的换热过程包括 传导、 对流、辐射 三种方式 ,通过计算得到旋转靶 稳态工作时 的换热参数 ,为旋转靶 的设计提供了依据 。 基于旋转靶磁控溅射的 工作原理和磁场分析 与优化结果, 以及确定的换热 参数设计了磁场结构,并用 ANSYS 有限元方法分析计算了其受力变形,结果 表明磁场结构受重力变形不影响 磁场分布。此外还对驱动电机 的配置、同步带 传动、轴承、支撑端、真空静密封和磁流体密封等 关键结构进行了相应的分析 和设计计算。最终完成工业化生产用旋转靶的设计,为磁控溅射旋转圆阴极靶 的进一步开发和磁控溅射大面积薄膜生产运行可靠提供了技术支撑 。 关键词:旋转靶;磁控溅射;磁场模拟;冷却换热;结构设计 Key Technology and Structure Design of Cylindrical Rotating Cathode Target for Magnetron Sputtering ABSTRACT Cylindrical rotating cathode target for magnetron sputtering (cylindrical rotating target) since the invention to now, has been widely used in industrial area functional film production preparation. Although after decades of development and innovation, there are still some problems in industrial production. For example, the magnetic field distribution on the target surface which vertical electric field was uneven, causing the target materials was sputtered etching dont even, making the target material utilization ratio decreased .The design of the cooling water circulation system is not reasonable, makes the cooling heat transfer is not enough, causing its working poor stability, finally affects the coating quality. The key technologies of the system has been research based on the glow discharge, magnetron sputtering, plasma, electromagnetic field and heat transfer theory. Realized industrialized scale production of a new type of magnetic field structure with the design of cylindrical rotating target of the research objective. Firstly, the 2D magnetic field distribution law on the target surface of m

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