大功率开关晶体管的设计与制造-集成电路工程专业论文.docx

独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方 外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 论 文 使 用 授 权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部和部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 摘 要 摘 要 论文的研究目的是通过对某一典型大功率晶体管的设计与制造, 讨论如何提 高大功率开关晶体管的耗散功率及减小晶体管的开关时间。并通过产品版图及工 艺的改进，达到产品参数指标的要求。 论文首先介绍了目前大功率开关晶体管的发展，并深入分析了如何提高产品 的耗散功率及减小晶体管的开关时间。接着详细论述了采用不同芯片结构及工艺 来提高产品的耗散功率、开关时间及特征频率。在芯片结构设计时增大发射极周 长面积比以提高芯片的使用率；提高基区掺杂浓度，缩短基区宽度，降低集电区 电阻率和厚度都是增大产品耗散功率或特征频率的有效方法。但是产品耗散功率、 特征频率、开关时间及放大系数等都是相互制约相互影响的，在考虑改善某一参 数时必须同时考虑对其他参数的影响，并需要实际投料进行试验，才能最终确定 产品的工艺参数。 论文中我们采用发射极带开孔的梳状结构版图，提高了芯片的使用率，使产 品在较小的芯片面积上得到较大的发射极周长，增大了发射结周长面积比，减小 了结电容，达到了提高产品耗散功率及减小晶体管开关时间的目的。同时在保证 产品功率及击穿电压的情况下，对基极采用淡、浓两次扩散。一方面减小了产品 的饱和压降，同时在基区形成一定的浓度梯度，利用该浓度梯度产生的电场对产 品少子运动的加速作用来提高产品的特征频率及开关时间。经过合理设计和选取 合适的制造工艺，最终达到了产品的电参数要求。同时也对不同的芯片结构及工 艺对产品功率及频率的影响进行了比较，为同类产品的设计及优化取到了一定的 参考作用。 关键字词：大功率 开关晶体管 结电容 I ABSTRACT ABSTRACT The research purpose of this thesis is based on a typical large power transistors designing and manufacturing. Discussing how to improve the power-switching transistors dissipation power and reduce its switching time. Moreover, we use the product’s layout and process improvements to achieve the product’s parameters requirements. The paper introduces the current development of high power switching transistor. Then deeply analysis how to improve the products power dissipation and reduces the switching time of the transistor. Discussing the different of the chip structure and process to improve the dissipation power, switch time and frequency characteristic of the transistor in detail. When we design the chip structure, we increase the ratio of emitter perimeter and area in order to improve chip usage. Improve base doping concentration, shorten the base width, reducing the collecting zone resistivity and thickness is an