化学气相沉积与介电质薄膜
化學氣相沉積
與介電質薄膜
1
目的
• 確認至少四種化學氣相沉積(CVD) 的應
用用
• 描述CVD 製程順序
• 列舉兩種沉積區並描述它們和溫度之間
的關係的關係
• 列舉兩種介電質薄膜
• 舉出兩種最常使用在介電質化學氣相沉舉出兩種最常使用在介電質化學氣相沉
積的矽源材料
2
化學氣相沉積化學氣相沉積 ((CVDCVD ))氧化層氧化層
與熱成長氧化層
SiO
2
SiOSiO
2
Si
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