大功率LED多芯片基板上直接封装的热设计-材料加工工程专业论文.docx

Classified Index: TN312 U.D.C: 621.791 Dissertation for the Master Degree in Engineering THERMAL DESIGN OF HIGH-POWER LED MULTI-CHIP ON BOARD PACKAGE Candidate： Liu Qi Supervisor： Prof. Wang Chunqing Academic Degree Applied for： Master of Engineering Speciality： Materials Processing Engineering Affiliation： School of Materials Sci. and Eng. Date of Defence： June, 2009 Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 摘 要 LED 照明由于具有效率高、能耗低、寿命长、环保等诸多潜在的优点而 被视为第四代照明光源。随着对 LED 功率的不断提高，传统的 LED 封装结构 和热界面材料不能很好地解决越来越严重的散热问题。 利用数值模拟的方法研究了散热结构中各因素对散热性能的影响，其中包 括基板厚度、芯片数量和排列位置及散热方式等；利用 DOE 实验设计的方法 设计了热电分离式大功率 LED 路灯，并对散热结构进行了数学优化；采用金 属热强度和 LED 结温作为综合优化目标对阵列组件式大功率 LED 路灯的散热 器进行了优化计算，得到了一系列的优化结构参数；设计了两种 LED 模组， 每个模组在传热上可以近似认为是独立的单元，而不受模组个数、周围环境的 影响。 根据测量的 LED 封装结构的热扩散系数计算了 Cu/SAC 钎料的界面接触 热阻；利用 Surface Evolver 软件预测了不同钎料量下的焊点形态，根据焊点 形态结果计算了 LED 的键合热阻；采用 SAC 钎料作为 LED 芯片键合的热界 面材料要明显优于导热胶和高导热银胶。 采用 SAC 钎料作为 DCB 基板与 Cu 散热器键合（简称 DC 键合）和 LED 芯片与 DCB 基板键合（简称 LD 键合）的热界面材料，DC 键合试样的 DCB 基板/钎料界面生成了(Ni,Cu,Au)3Sn4， Cu/钎料界面生成了 Cu6Sn5； LD 键合 试样的 LED 芯片/钎料界面和 DCB 基板/钎料界面均生成了(Cu,Ni,Au)6Sn5； DC 键合试样在老化过程中， DCB 基板 / 钎料界面的 (Ni,Cu,Au)3Sn4 向 (Cu,Ni,Au)6Sn5 转化，在(Cu,Ni,Au)6Sn5 层与 Ni 层间生成一层连续的 Ni3Sn4 化 合物； Cu/ 钎料界面处还生成了一层连续 Cu3Sn 化合物； DCB 基板侧 (Cu,Ni,Au)6Sn5 化合物在老化过程中的生长是受 Cu 扩散控制的，DCB 基板侧 IMC 的厚度要小于另一侧 IMC 的厚度，并且当另一侧 IMC 增加到一定厚度 后，DCB 基板侧的 IMC 厚度的增加变的更为缓慢。 关键词 LED 封装；热设计；数值模拟；结构优化；老化 Abstract Regarding advantages of higher efficiency, less consumption of energy, longer lifetime and friendliness to environment, LED lighting is considered as the forth generation illuminating light. As the input power of LED products become higher, conventional packaging structure and thermal interface materials can’t dissipate heat well anymore. The influence of parameters of the heat dissipating structure, including substrate thickness, the number and placement of chips and dissipating methods, has been investigated by numerical simulation analysis. DOE experimental design has been applied into the desi