磁控溅射法生长ITO薄膜及其在HIT太阳电池中的应用-物理电子专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 南开大学学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师指导下进行研究工作所 取得的研究成果。除文中已经注明引用的内容外，本学位论文的研究成果不包 含任何他人创作的、已公开发表或者没有公开发表的作品的内容。对本论文所 涉及的研究工作做出贡献的其他个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本 学位论文原创性声明的法律责任由本人承担。 学位论文作者签名： 胡楠 2015 年 5 月 27 日 非公开学位论文标注说明 (本页表中填写内容须打印) 根据南开大学有关规定，非公开学位论文须经指导教师同意、作者本人申 请和相关部门批准方能标注。未经批准的均为公开学位论文，公开学位论文本 说明为空白。 论文题目 申请密级 □限制(≤2 年) □秘密(≤10 年) □机密(≤20 年) 保密期限 20 年 月 日至 20 年 月 日 审批表编号 批准日期 20 年 月 日 南开大学学位评定委员会办公室盖章(有效) 注：限制★2 年(可少于 2 年);秘密★10 年(可少于 10 年);机密★20 年(可少于 20 年) 摘要 摘要 摘要 随着矿物能源的日渐消耗和全社会生态环境意识的提高，可再生能源受到 越来越多的关注。太阳能作为其中的佼佼者有着无可取代的优势。而在太阳能 的诸多应用中又以太阳能电池为代表。太阳电池中向阳面上的电极称为面电极， 其要求既要有良好的光学透过率也要有优异的电导性。目前应用最为广泛的面 电极材料为 TCO (Transparent Conductive Oxide) 材料。而 ITO 则是应用最广泛， 性能最优异的 TCO 材料之一。 氧化铟锡(Indium Tin Oxide) 简称 ITO 是一种重掺杂、高简并的 n 型半导体 材料，其结构为体心立方锰铁矿。常见的 ITO 薄膜沉积方法有磁控溅射法，电 子束蒸发法，溶胶-凝胶法等。本文主要研究磁控溅射法制备 ITO 薄膜的性能及 其在 HIT 太阳电池上的应用，主要分为以下几个方面: (一) 研究了磁控溅射法生长 ITO 过程中对非晶/微晶硅衬底产生的影响和损 伤 在溅射的过程中的高载粒子会对硅基衬底产生一定的损伤。鉴于溅射 ITO， ZnO 等 TCO 材料的过程中产生的负离子为 O-，故对衬底的损伤有以下两种：1. O-对衬底的氧化作用，2.载能粒子和射线对晶格的影响。其具体表现为:单晶硅的 少数载流子寿命降低，微晶/非晶硅薄膜的电导性变差，透过率曲线有所偏移， 晶化率发生变化。针对这些问题，用 wxAMPS 软件进行了模拟计算。这些损伤 会使发射层缺陷增大，硅片少子寿命下降进而对 HIT 太阳电池的转换效率产生 影响。 (二)设计了太阳能电池面电极专用的品质因子 在 TCO 薄膜中，电学性能和光学性能常常是相互矛盾的两个指标。为了得 到其最优解，人们设计了品质因子来衡量其综合性能。常见的品质因子有 ΦTC， FOM，作为普适的指标对评价 TCO 薄膜的优劣起了很大作用。但其在衡量太阳 电池面电极的应用中存在两个缺陷：1，不同太阳电池的可吸收波段不同，传统 品质因子没有因此做出调整，2 太阳电池一般使用 AM1.5 光源进行模拟而传统 品质因子中并没有体现。本文根据以上不足，在原有品质因子的基础上引入 AM1.5 光谱数据，设计了太阳电池面电极专用的品质因子。 I (三) ITO 薄膜作为面电极在单晶非晶异质结太阳电池(hetero-junction with intrinsic thin-layer , HIT)太阳电池中的应用 在多数薄膜太阳电池中，pn 结薄膜材料直接沉积在 ITO 玻璃上，因此只要 考察 ITO 在玻璃上的生长特性就可满足应用要求。而对于 HIT 电池，ITO 薄膜 沉积在非晶硅层之上。故不能直接对其电学和光学性能进行测量。针对这一问 题，我们采取在相同的单晶硅/非晶硅异质结上直接生长 ITO 薄膜作为面电极， 测试不同 ITO 生长条件下电池性能的方法来选取最合适 HIT 应用的 ITO 参数。 同一组实验中，以相同的条件在 pn 结和玻璃衬底上同时生长。通过优化 ITO 薄 膜的生长条件和性能，我们获得最小电阻率 2.8×10-4Ω?cm，最大平均透过率 82% （300nm-1100nm）最大 FH3.03 的 ITO 薄膜（玻璃衬底）以及最高效率为 11.3% 的 HIT 太阳电 关键词：ITO 薄膜，HIT 太阳电池，磁控溅射，品质因子，衬底损伤 II Abst Abstract Abstract Human pay more and more attention on new energies. Among them, solar energy has undesirable ad