磁电阻随机存取存储器研究进展-毕业(学术)论文设计.docVIP

PAGE l 内蒙古科技大学 本 科 毕 业 论 文 论文题目：磁电阻随机存取存储器研究进展 院 系： 物理科学与技术学院 专 业： 应用物理学 姓 名： 学 号： 指导教师： 二零一二 年 五 月 摘要 磁阻式随机存取存储器(MRAM)已被公认为一种前景非常广阔的存储器。本文综述了MRAM 的概念和原理。以及它和目前常见的静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)、闪存(FLASH) 等类型的存储器的差别。实用型MRAM主要利用隧道磁阻(TMR)效应，所以目前MRAM的研究重点之一就是如何提高传统的TMR材料的性能。MRAM的另外一个研究方向是发展新原理和新结构的MRAM。本文对磁电阻随机存取存储器原理与优势进行了全面的介绍，并对磁电阻随机存取存储器的研究进展做出了表述。 关键词：MRAM；磁性随机存储器；磁电阻 Abstract 　　Magnetic resistance type random access memory (MRAM) has been recognized as a kind of very wide prospect of memory. This paper reviewed the MRAM concept and principle. And it and the most common static random access memory (SRAM), dynamic random access memory (DRAM), FLASH memory (FLASH), and other types of memory difference. The practical MRAM, mainly using tunnel magnetic resistance (TMR) effect, so for now, the study is one of the key MRAM, how to improve the traditional TMR material performance. MRAM another research direction is to develop the new principle and the structure of the new MRAM. In this paper, the magnetic resistance random access memory principle and superiority of the comprehensive introduction, and of magnetic resistance random access memory research progress made the statement. Key word: MRAM；Magnetic ram; Giant magnetic resistance 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc324408057 引言 PAGEREF _Toc324408057 \h 4 HYPERLINK \l _Toc324408058 1 磁阻式随机存取存储器（MRAM）的概念 PAGEREF _Toc324408058 \h 5 HYPERLINK \l _Toc324408059 1.1 MRAM工作的控制原理 PAGEREF _Toc324408059 \h 5 HYPERLINK \l _Toc324408060 1.2 MRAM存取的基本原理 PAGEREF _Toc324408060 \h 5 HYPERLINK \l _Toc324408061 1.3 MRAM的工作原理 PAGEREF _Toc324408061 \h 6 HYPERLINK \l _Toc324408062 1.4 巨磁电阻随机存储器（GMR）的简介 PAGEREF _Toc324408062 \h 6 HYPERLINK \l _Toc324408063 1.5 GMR效应在随机存储器 (MRAM)中的应用 PAGEREF _Toc324408063 \h 7 HYPERLINK \l _Toc324408064 2 MRAM与现行各类存储器的比较 PAGEREF _Toc324408064 \h 8 HYPERLINK \l _Toc324408065 2.1 静态存储器（SRAM）、动态存储器（DRAM）介绍 PAGEREF _Toc324408065 \h 8