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本科毕业论文(设计)：展青霉素印迹传感器制备及性能测试 本科毕业论(设计)：展青霉素印迹传感器制备及性能测试 年 月 日目 录 摘要1 Abstrat1 1引言2 2实验部分3 21 仪器与试剂3 22 电极的预处理4 23 金纳米粒子多壁碳纳米管修饰金电极的制备4 24 印迹膜传感器的制备 2检测方法6 3结果与讨论6 31印迹电极制备6 311 PAT的电化学行为6 312 分子印迹膜的形成7 32 PAT与PA间相互作用的光谱表征8 33 分子印迹电极的电化学表征8 331 循环伏安表征8 332 交流阻抗表征10 34分子印迹电极的线性范围及检出限11 4 结论12 参考献13 致谢1摘要 以展青霉素（PAT）为模板，对氯苯胺(PA)为单体，在金电极表面自组装多壁碳纳米管(NTs)，通过电聚合制得PAT/ PA / NTs/AuNPs聚合薄膜及安培传感器。采用循环伏安法和交流阻抗技术对传感器制备过程进行表征，用紫外光谱法研究了单体与模板间的相互作用。实验结果表明，3Fe(N)6探针分子的示差脉冲伏安曲线峰电流与PAT浓度在06～91 μl/L范围内呈良好的线性关系，PAT的检出限为02 μl/L。 关键字：电化学传感器;多壁碳纳米管;展青霉素;对氯苯胺;金纳米粒子 Abstrat A nvel aperetri sensr based n Patulin (PAT) iprinted pler ebrane as fabriated n gld eletrde fr the detetin f PAT b self-assebl f ulti-alled arbn nantubes (NTs) and eletrplerizatin f p-hlraniline (PA) in the presene f teplate leule The difiatin predure as haraterized via li vltaetr and eletrheial ipedane spetrsp The interatin beteen PA and PAT as nfired b ultravilet spetrsp In the presene f 3Fe(N)6 as redx prbe, the pea urrent f differential pulse vltagra dereased linearl ith the inreasing nentratin f PAT fr 06 t 91 μl/L The detetin liit as 02 μl/L (S/N=3) erds: Eletrheial sensr; ulti-alled arbn nantubes; Patulin; p-hlraniline; Gld nanpartiles 1引言 真菌毒素(txins, T)是饲料或谷物中霉菌产生的代谢产物，广泛污染农作物、食品及饲料等植物性产品。T可能引起人类和动物的急性或着慢性中毒,部分已被证实具有极强的毒性和致癌、致畸、致细胞突变等“三致”作用[1-2]。目前已知的真菌毒素有300多种，按其主要菌种可分为曲霉菌毒素，镰刀菌毒素，以及青霉菌毒素。我国规定小麦、玉米中黄曲霉毒素的限量值分别为 μg/g和20 μg/g, 而国际食品法典委员会标准中是按黄曲霉毒素总量(AFB1+AFB2+AFG1+ AFG2)指标制定限量指标,限量值在10～20 μg/g [3]。 展青霉素(Patulin，PAT)又称棒曲霉素，是由许多隶属于青霉菌属和曲霉菌属的真菌所产生的一种有毒的次级代谢产物[4]，人类摄取PAT会导致急性中毒，其具有致畸、致癌和致突变作用[]。展青霉素主要存在于霉烂的苹果及其制品中，在樱桃、杏、柑橘与番茄中也被检出[6]。 目前，国内外对展青霉素在果蔬制品中的含量有严格的规定，很多国家将果汁中的展青霉素残留量限量在20～0 g/g之间[]。 目前测定展青霉素的方法主要有高效液相色谱法[7]、高效液相色谱-质谱联用法[8]、固相萃取法[9]、多功能净化柱净化法[10]、薄层色谱法[11]、气相色谱法[12]等。这些方法某种程度上存在定量准确性不高、重现性难以控制、消耗大量有机溶剂、操作步骤较为繁琐等缺陷。分子印迹技术（IT）是通过模板分子制备成三维聚合物基质[13]。模板的去除后，得到的印迹孔洞与模板分子的形状和官能团保持一致形成互补。IP技术已被证明是一种低成本、简单、可靠和应用于传感器领域最有前途的技术，以及广泛应用于模板分子与功能单体的筛选[14]。 多壁碳纳米管（NTs）因具有良好的导电性，化学稳定性和机械强度等优势而被广泛应用于构建电化学传感器以增大比表面积，提高电导率和