模拟电子技术-二管.ppt

* Department of Electronics and Information Science /dxx/Index.html * Computer Communication Networks Chen Yu-feng 陈宇峰 Department of Electronics and Information Science Hubei Automotive Industries Institute Email：cyfhbqy@163.com 第二章 半导体二极管及其基本电路 2.1 半导体的基本知识 物质导电: 导体、绝缘体和半导体。 半导体: 电阻率为10-3～109 ??cm。 常见半导体:硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs等。 1 本征半导体及其导电性 本征半导体：纯净的半导体。 纯度99.9999999%，常称为“九个9”。 单晶体形态——例如：“单晶硅”。 (1）本征半导体的共价键结构 硅和锗是四价元素。每个原子的四个价电子互相形成共价键, 为它们所束缚，形成空间排列有序的晶体, 见图2.01。 图2.01 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图 (c) （2）电子空穴对 图2.02 本征激发和复合的过程（动画2-1） 电子空穴对: 热、光激发产生的自由电子和空穴对。 复合: 游离的自由电子回补空穴。 动态平衡：温度一定本征激发和复合达到平衡。 (3)两种载流子 1）电子：价电子。定向运动形成了电子流，带负电； 2）空穴：价电子离开后所留下的空位。它的运动方向与电子流相反，带正电。 （动画2-2） 图2.03 空穴在晶格中的移动 2 杂质半导体 杂质半导体：本征半导体中掺入某些微量元素——杂质，所形成的半导体。 两种杂质半导体： N型半导体 P型半导体 杂质：一般是三价或五价元素（硼，磷）。 掺杂目的：改变半导体的导电性能。 N型半导体：电子型半导体。 (1）N型半导体 N型半导体：本征半导体中掺入五价元素磷形成。 N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由 杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 五价杂质原子，因提供自由电子成为带正电荷的 正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。图2.04。 (2) P型半导体 P型半导体：本征半导体中掺入三价元素硼形成。 P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成； 电子是少数载流子，由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三 价杂质 因而也称为受主杂质。如图2.05所示。 P型半导体：空穴型半导体 2.1.3 杂质对半导体导电性的影响 掺杂质对半导体导电性的影响： T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 1 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 3 以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3 结论：百万分之一的掺杂，导电性能提高百万倍！ 将N型半导体和P型半导体合在一起。 2.2 PN结的形成及特性 （动画2-3） 图2.06 PN结的形成过程 1、PN结的形成 将N型半导体和P型半导体合在一起。 2.2 PN结的形成及特性 （动画2-3） 图2.06 PN结的形成过程 1、PN结的形成 浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。交界面形成空间电荷区——PN结。 E内 2 PN结的导电特性 (1) PN结正向特性 图2.07 PN结加