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低维纳米材料制备、光学特性及其光电子器件性能研究-光学工程专业论文
万方数据
万方数据
Research on fabrication, optical properties of low-dimensional nanomaterials and performances of optoelectronic devices
Major: Optical Engineering Advisor: Prof. Junsheng Yu Author: Zhaolin Yuan
独 创 性 声 明
本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地 方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含 为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明 确的说明并表示谢意。
签名: 日期: 年 月 日
关于论文使用授权的说明
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(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)
签名: 导师签名:
日期: 年 月 日
摘 要
摘 要
纳米材料由于具有独特的尺寸、性能和潜在的应用前景备受人们关注,到目 前为止,已出现大量的有关纳米材料报道,但是纳米材料是一个庞大的领域,还 有很多可以探索和拓展的空间。采用简单、低成本的方法制备纳米材料,并把它 们应用到相关领域的是人们追求的主要目标之一,在这方面仍需要开展大量研究 和解决许多相关问题。
本文主要采用几种简单的方法制备几种低维有机小分子纳米材料和纳米 ZnO,研究了它们的光学特性。并把制备的纳米 ZnO 分别与几种有机半导体混合, 制备了几种光电二极管和反型结构太阳能电池。论文主要内容包括以下几个方面:
1. 采用再沉淀法制备 perylene、DCM 和 DPA 三种有机小分子纳米材料,在一 定制备条件下形成 perylene 纳米片、DPA 纳米晶、DCM 纳米颗粒,研究它们的光 学特性。结果发现 DCM 纳米颗粒内分子电荷转移(CT)峰相比稀释溶液的发生蓝 移,是由于纳米颗粒中分子形成了 H-聚集,在 DCM 纳米颗粒的荧光发射光谱中, 发光峰产生猝灭,其原因是纳米颗粒中分子形成了 H-聚集和它的发色团的构型发 生扭曲所致。还得出 perylene 纳米片中晶格发生变化和 DPA 纳米晶中分子形成 J- 聚集。
2. ZnO 纳米颗粒具有很大的表面积、优异的光电特性和容易合成等优点。采 用化学回流方法,通过调节回流时间合成出粒径从 5~40nm 范围变化的 ZnO 纳米 颗粒,研究它们的晶体结构和光学特性。并阐述不同尺寸的 ZnO 纳米颗粒的形成 机制。
3. 良好取向的 ZnO 纳米线或纳米棒阵列有望在大面积、低成本和高性能光电 子器件有广泛应用前景。我们采用化学浴沉积方法,在 ITO 玻璃衬底上制备良好 取向 ZnO 纳米线阵列(ZNWAs)。研究前驱物的浓度、生长时间、生长温度、pH 值 和种子层对 ZnO 纳米线的尺寸(直径和长度)和纳米线的排列密度的影响。同时在 ITO 玻璃衬底制备良好取向 ZnO 纳米棒阵列(ZNRAs),研究生长时间对 ZnO 纳米 棒的直径影响。并研究它们的结构和光学特性。获得控制它们的尺寸直径、长度、 排列密度的条件和在可见光区具有高透明的纳米线或纳米棒阵列。
4. 有机/无机混合光电子器件是一个有兴趣的领域。使用制得的 ZnO 纳米颗粒 和 ZnO 纳米线阵列分别和酞菁铜、并五苯、P3HT 混合,制备六种光电二极管,
I
摘 要
系统地研究了它们在暗态和光照下的性能。结果显示它们在暗态下和不同光照强
度下 J-V 特性都显示出较好的整流特性。并且得到器件 ITO/ZNWAs/P3HT(旋涂)/Ag 在暗态下理想因子为 1.8,整流率为 3211,表现出最好的二极管特性。导致如此大 的整流率主要有两个原因:一是 ZnO 纳米线阵列具有良好的电学输运特性,包括 ZnO 纳米线具有很高的电子迁移率和 为电子提供直接的输运路径;二是 ZNWAs/P3HT 之间形成很大的亲密接触界面,在该器件中存在非常少的漏电通道。 低的理想因子说明器件中电荷输运机制仅为复合和扩散机制。
5. 有机太阳能电池具有成本较低,重量轻,可采用多种衬底等明显优点,引 起人们很大的研究兴趣。但是它们在大气环境下的稳定性和寿命较差,成为有待 于解决的难题之一。我们采用制得的 ZnO 纳米颗粒、
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