导电桥接存储器的解析模型的研究-微电子学与固体电子学专业论文.docx

杭州电子科技大学 学位论文原创性声明和使用授权说明 原创性声明 本人郑重声明： 所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究工作所取得 的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不含任何其他个人或集体已经发表或撰写过 的作品或成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。申 请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切相关责任。 论文作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文使用授权说明 本人完全了解杭州电子科技大学关于保留和使用学位论文的规定，即：研究生在校攻读 学位期间论文工作的知识产权单位属杭州电子科技大学。本人保证毕业离校后，发表论文或 使用论文工作成果时署名单位仍然为杭州电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件， 允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内容，可以允许采用影印、缩印或其 它复制手段保存论文。（保密论文在解密后遵守此规定） 论文作者签名： 日期： 年 月 日 指导教师签名： 日期： 年 月 日 杭州电 杭州电子科技大学硕士学位论文 I I 摘 要 本课题 是 导 电 桥 接 存 储 器 （ CBRAM, Conducting-bridge random access memory）的解析模型的研究，CBRAM 是一种新型非挥发存储器，是可能成为 下一代通用存储技术的新型技术之一，近些年已成为国际上相关研究的热点。本 文介绍了 CBRAM 器件的基本概念及其具有竞争力的各项能指标，对 CBRAM 工作的物理机理进行了分析，基于 CBRAM 工作过程的物理机理建立了解析模 型。在物理机理方面考虑了金属离子在固态电解质中的迁移以及金属电极表面的 氧化还原反应。本研究的重点在于细丝形成(forming)过程和金属导电细丝的横向 生长阶段。本模型在前人物理机理的分析以及数值仿真工作的基础上完善了 CBRAM 工作的物理机制，认为金属导电细丝在不同的生长阶段受到不同的物理 机制的约束，将细丝生长过程分为了几个阶段，并对每个生长阶段进行分析，给 出了细丝生长过程中细丝尺寸与生长时间之间的解析表达式。在此基础上进一步 给出了器件工作的外加电压和切换时间之间的解析表达式。另外，文章认为细丝 的横向生长机制是器件会有不同低阻态的原因，利用不同限流条件下器件会有不 同低阻状态的原理可以实现多值存储。并通过理论分析求解出了低阻态电阻与限 流之间的解析表达式，该解析式直接地反映出了低阻态电阻与限流之间的反比关 系。该解析模型的正确性和可靠性通过分别与数值结果和实验数据对比来验证， 比较结果证明解析模型与数值结果完全符合，与实验数据能够成功拟合，这就证 明了此模型是正确可靠的。根据器件结构和所加偏压该模型可以快速正确地预测 CBRAM 存储单元的在高阻态和低阻态之间切换的时间，同时依据该解析模型可 以根据高阻态和低阻态之间切换所需时间和切换电压选择合适的固态电解质层 的厚度，从而达到优化器件结构的目的。 关键词： 氧化反应、还原反应、电迁移、纵向生长、横向生长、形成过程 II II ABSTRACT An analytical model for conductive-bridge resistive-switching random-access memory (CBRAM) has been developed in this work. CBRAM is a popular international research in recent years. Based on high performance CBRAM is considered to be one of the most promising candidates for the next-generation universal memory. To figure out the physical mechanism of CBRAM both the metal-ion migration in the solid-electrolyte layer of the memory cell and the chemical reaction on the metallic surface of the electrodes are considered. The work gives an analytical model based on the filament growth in the CBRAM cell. The forming process consists of ion migration from anode to cathode and backward filament growth