单芯片集成用紫外增强光电探测器的模拟与实现-微电子学与固体电子学专业论文.docx

万方数据 万方数据 湘潭大学 学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所 取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任 何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡 献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的 法律后果由本人承担。 作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意 学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文 被查阅和借阅。本人授权湘潭大学可以将本学位论文的全部或部分内容编 入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇 编本学位论文。 涉密论文按学校规定处理。 作者签名： 日期： 年 月 日 导师签名： 日期： 年 月 日 摘 要 目前的紫外探测器主要基于 SiC、GaN、AlGaN 等宽禁带半导体材料制作而 成，具有价格贵、体积庞大等缺点；其次，由于它们无法与后续的信号读出与处 理电路进行单芯片集成，使得整个紫外探测系统至少需要三块芯片组合才能实 现，造成了系统庞大复杂，功耗高的缺点。传统的硅基紫外光电二极管虽然可以 实现将感光器件和 CMOS 电路进行单芯片集成，但响应度和量子效率普遍较低。 本文从解决硅基紫外光电二极管响应度和量子效率低的角度出发，结合 MOSFET 高动态范围、低噪声等优点及光电二极管指数型大电流优点，利用 PN 结的载流 子注入特点，克服 MOSFET 器件单一载流子导电而电流密度小的缺点，研究一 种单芯片集成用硅基复合型紫外增强型光电探测器。 本文设计的紫外增强型光电探测器包含 MOS 场效应晶体管和光电二极管两 部分，MOS 晶体管的衬体悬浮，光电二极管通过横向 PN 结实现。在适当的偏 置电压下，MOS 管导电沟道形成。没有光照时，检测出一次 MOS 管的漏极电流。 有光照时，横向 PN 结利用内建电场将光生载流子注入 MOS 管的衬体内，改变 衬底电势，引起 MOS 管阈值电压变小。在外加偏置电压不变的情况下，MOS 管阈值电压的减小将增大晶体管的漏极输出电流，此时第二次检测出漏极电流， 将两次得到的漏极电流做差，就得到了器件的光响应电流。 本文首先利用 Silvaco TCAD 工艺与器件仿真工具对新器件的栅极宽度、条 纹状栅极结构进行了较深入的讨论，目的是为了研究 MOS 管栅极宽度对导电沟 道下的耗尽层势阱收集光生载流子能力的影响，以及模拟条纹状栅极结构对紫外 （短波）的吸收情况，判断二者对器件性能的影响，指导流片器件结构的确定。 其次，对确定流片的器件结构做了进一步的电学特性和光学特性方面的模拟和分 析，包括衬体电势、转移特性、输出特性、光谱响应以及直流特性等。 仿真结果表明所设计的新器件对紫外（短波）比近红外波（长波）具有更大 的光响应电流。对微弱光信号表现出更加惊人的直流响应度。该紫外增强光电探 测器在紫外光探测及微弱光检测方面存在很高的应用价值。最后，通过标准 0.5 μm CMOS 工艺对新器件进行了版图设计和流片实现。 关键词：单芯片集成；紫外增强；复合型光电探测器；TCAD 器件模拟；CMOS I Abstract Nowadays, UV detectors are mainly made of SiC, GaN, AlGaN and other wide band gap semiconductor materials. They are expensive and have great bulk. Secondly, because they can’t be fabricated with signal readout and signal processing circuits in an integrated chip, more than three chips are required to realize a UV detection system, making the UV detection systems huge, complex and high power consumption. Although traditional silicon based UV photodiodes can be achieved in single chip with CMOS readout circuit, their response and low quantum efficiency are generally low. For the sake of solving the low responsivity and low q