电晶体与其形成方法.PDFVIP

台積電專利迴避報告 電晶體與其形成方 法 指導老師：陳瑞堂 班級：光電 三乙 學號： 4A3L0067 姓名：劉品 杰 1.背景 【技術領域】 本發明關於電晶體的形成方法，更特別關於其源極、汲極、與 通道之材料組成。 【先前技術】 半導體裝置如全環閘(GAA)電晶體是半導體產業中新興的研究領 域。然而材料限制的裝置速度。如此一來，目前 急需改善上述缺 陷。 【發明內容】 本揭露一實施例提供之電晶體，包括：源極；汲極；以及通 道，位於源極與汲極之間，其中源極、汲極、與通道中至少一者含 有約 20原子%至約95原子的% Sn 。 本揭露一實施例提供之電晶體的形成方法，包括：形成源極； 形成汲極；以及形成通道於源極和汲極之間，其中源極、汲極、與 通道中至少一者含有約 20原子%至95原子的% Sn 。 本揭露一實施例提供之電晶體的形成方法，包括：提供基板； 提供源極於基板上；提供通道連接至源極；提供汲極連接至通道； 提供閘極絕緣層，其與通道相鄰；提供閘極，其與閘極絕緣層相 鄰；提供第一層間介電層於源極與閘極之間；以及提供第二層間介 電層於汲極與閘極之間，其中源極、汲極、與通道中至少一者包含 約20原子%至95原子的% Sn 。 2.技術內容 （含圖示） 102 ‧‧‧基板 104 ‧‧‧額外緩衝物 106 ‧‧‧基體材料 202 、904 、1004 ‧‧‧源極 204 、906 、1006 ‧‧‧奈米線 302 ‧‧‧第一層間介電層 402 ‧‧‧閘極絕緣層 502 ‧‧‧閘極 602 、907 、1007 ‧‧‧通道 702 ‧‧‧第二層間介電層 800 ‧‧‧電晶體 802 、902 、1002 ‧‧‧汲極 900 、1000 ‧‧‧半導體結構 903 、905 、909 ‧‧‧直徑 913 、915 、919 ‧‧‧厚度 1012 、1014 ‧‧‧直徑變化區域 1102 、1122 ‧‧‧圓形奈米線 1104 、1124 ‧‧‧橢圓形奈米線 1106 、1126 ‧‧‧條形奈米線 1108 、1128 ‧‧‧圓角正方形奈米線 1110 、1130 ‧‧‧方形奈米線 1112 、1132 ‧‧‧三角形奈米線 1114 、1134 ‧‧‧六邊形奈米線 1200 、1300 ‧‧‧方法 1202 、1204 、1206 、1208 、1210 、1212 、1214 、1216 、1302 、1304 、 1306 ‧‧‧步驟 【圖式簡單說明】 第 1圖係某些實施例中，垂直全環閘結構於製程之第一階段的立體圖。 第2 圖係某些實施例中，垂直全環閘結構於製程之第二階段的立體圖。 第3 圖係某些實施例中，垂直全環閘結構於製程之第三階段的立體圖。 第4 圖係某些實施例中，垂直全環閘結構於製程之第四階段的立體圖。 第5 圖係某些實施例中，垂直全環閘結構於製程之第五階段的立體圖。 第6 圖係某些實施例中，垂直全環閘結構於製程之第六階段的立體圖。 第7 圖係某些實施例中，垂直全環閘結構於製程之第七階段的立體圖。 第8 圖係某些實施例中，垂直全環閘結構於製程之第八階段的立體圖。 第9 圖係某些實施例中，垂直全環閘結構的立體圖。 第 10圖係某些實施例中，垂直全環閘結構的立體圖。 第 11A圖係某些實施例中，垂直奈米線結構的立體圖。 第 11B圖係某些實施例中，水平奈米線結構而非垂直奈米線結構的立體圖。 第 1