半导体存储器磁表面存储器随机存储器顺序存储器只读存储器.PPTVIP

计算机组成与结构 大连理工大学软件学院 嵌入式系统工程系 赖晓晨 far.away@ 第四章 主存储器 4.1 存储器概述 存储器分类 ★ 按存储介质分 ★按存储方式分 ★ 按存储器读写功能分 ★ 按信息的可保存性分 ★ 按在计算机系统中的作用分 　　 主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器等 4.2 主存储器 主存储器处于全机中心地位 计算机正在执行的程序和数据均存放在存储器中。CPU直接从存储器取指令或存取数据。 采用直接存储器存取(DMA)技术和输入输出通道技术，在存储器与输入输出系统之间直接传送数据。 共享存储器的多处理机，利用存储器存放共享数据，并实现处理机之间的通信。 主存储器分类 RAM ( Random Access Memory ) 随机存储器 ROM ( Read Only Memory ) 只读存储器 PROM ( Programmable ROM ) 可编程序的只读存储器 EPROM ( Erasable PROM ) 可擦除可编程序只读存储器 E2PROM ( Electrically EPROM ) 可用电擦除的可编程只读存储器 快擦写读写存储器（flash memory） 主存储器的技术指标 　　 主存储器的基本操作 主存储器的基本操作 4.3 随机读写存储器 随机存储器（RAM ） 特点 快、小；断电信息消失 分类 静态存储器 （SRAM） 双稳态触发器，功耗大，体积大，速度快 动态存储器（DRAM） MOS电容存储电荷，集成度高，低功耗，大容量存储器 应用 cache，计算机主存储器 1. 静态存储器 ( SRAM )的存储单元 基本存储元 MOS (Metal Oxide Semi-conductor)管 工作原理 栅极高电平，源漏极导通 栅极低电平，源漏极截止 NMOS反相器 六管SRAM 存储元 互锁的触发器 保持 字线低。 T5，T6止 T1,T2中状态保持 写操作 字线高；T5，T6开 写0— 位线1高，位线2低 A高B低；T2通T1止 写1— 位线1低，位线2高 A低B高；T1通T2止 读操作 字线高，T5，T6开 读 0—位线2有负脉冲 读1—位线1有负脉冲 2.存储器的组成 存储体 地址译码器 驱动器 I/O电路 控制信号 WE 片选 CS 2.存储器的组成 存储体 地址译码器 驱动器 I/O电路 控制信号 WE 片选 CS SRAM存储器芯片 存储器的开关特性 存储器的开关特性 存储器的开关特性 4Kb SRAM 存储器容量4Kb 4096b=64×64b=212 双译码器 地址码12b 4Kb SRAM 存储器容量4Kb 4096b=64×64b=212 双译码器 地址码12b 4k×8b SRAM 3. SRAM 存储芯片实例－2114 2114－1k×4 SRAM 4.动态存储器 ( DRAM ) 存储单元 依靠电容存储信息，C有电荷或无电荷表示两种状态 4.动态存储器 ( DRAM ) 4.动态存储器 ( DRAM ) DRAM存储原理 16K×1 SRAM 16K×1 DRAM DRAM结构示意图 行列分时寻址 （Multiplexing） RAS ( Row Address Strobe ) CAS (Column Address Strobe ) Sense and Refresh Amplifiers DRAM的特点 可制成高容量高密度的存储器; 功耗小. 破坏性读出，需再生; 速度相对慢; 电容漏电，需动态刷新. 再生（刷新） 为保持存储信息，对电容进行充电以恢复原来的电荷。这一过程称为再生或刷新。 采用“读出”方式进行再生。 由于DRAM每列都有自己的读放，因此，只要依次改变行地址，轮流对存储矩阵的每一行所有单元同时进行读出，当把所有行全部读出一遍，就完成了对存储器的再生 DRAM的刷新 读出方式进行刷新，行再生 刷新周期 2ms 刷新方式 － 集中式、分布式 4.4 非易失半导体存储器 1.只读存储器（ROM） 2.闪速存储器 （Flash Memory） 闪存的特点 固有的非易失性 廉价的高密性 可直接执行性 3.嵌入式系统中的flash memory 嵌入式系统存储器构成 Bootloader 启动过程 闪存和各种存储卡 4.