GaAsInGaAs量子点探测器件微光读出研究-激光与红外.PDFVIP

第４２卷　 第１期 　　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４２，Ｎｏ．１ 　 ２０１２年１月　　 　 　　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｊａｎｕａｒｙ，２０１２ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１２）０１００５９０４ ·光电技术与系统· ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ量子点探测器件微光读出研究 尤　虎，郭方敏，朱晟伟，越方禹，范　梁，茅惠兵 （华东师范大学 信息科学技术学院极化材料与器件教育部重点实验室，上海２００２４１） 摘　要：ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ量子点光电探测器，在６３３ｎｍ激光辐射３．５ｎＷ条件下，器件偏压 －９ －１．４Ｖ时，测得响应电流８．９×１０ Ａ，电流响应率达到２．５４Ａ／Ｗ，量子注入效率超过９０％。 基于ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ量子点光电探测器的高量子注入效率、高灵敏度等特点，采用具有稳定的 电压偏置，高注入效率和低噪声特点的ＣＴＩＡ（电容互阻跨导放大器）作为列放大器读出结构， 输出部分采用相关双采样（ＣＤＳ）结构去除系统和背景噪声。实验结果表明，在３．５ｎＷ 的微 光辐射下，器件偏压为－２．５Ｖ时，５０ ｍ×５０ ｍ像素探测器与读出电路互联后有７．１４× μ μ ７ １０Ｖ／Ｗ的电压响应率。 关键词：量子点；量子效率；响应率；微光探测；ＣＴＩＡ读出 中图分类号：ＴＮ２１５　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１２．０１．０１３ ＲｅａｄｏｕｔｏｆＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ ｏｎｗｅａｋｌｉｇｈｔ ＹＯＵＨｕ，ＧＵＯＦａｎｇｍｉｎ，ＺＨＵＳｈｅｎｇｗｅｉ，ＹＵＥＦａｎｇｙｕ，ＦＡＮＬｉａｎｇ，ＭＡＯＨｕｉｂｉｎｇ （ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＰｏｌａｒＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＤｅｖｉｃｅｓ，ＭｉｎｉｓｔｒｙｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎ，ＥａｓｔＣｈｉｎａＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２００２４１，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｗｈｅｎ－１．４Ｖｂｉａｓａｎｄ３．５ｎＷ６３３ｎｍｌａｓｅｒｒａｄｉａｔｉｏｎａｒｅａｐｐｌｉｅｄ，ｔｈｅＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｉｎ －９ ｗｅｌｌｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｃａｎｇｅｔ８．９×１０ Ａｒｅｓｐｏｎｓｅｃｕｒｒｅｎｔａｎｄｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｒｅｓｐｏｎｓｉｖｉｔｙｉｓ２．５４Ａ／Ｗ．Ｉｔｓｑｕａｎｔｕｍｅｆｆｉ ｃｉｅｎｃｙｉｓａｂｏｖｅ９０％．ＢａｓｅｄｏｎｔｈｅｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｔｈｅＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＱｕａｎｔｕｍｄｏｔＰｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ，ａ ｓｔａｂｌｅｂｉａｓ，ｈｉｇｈｉｎｊｅｃｔｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙａｎｄｌｏｗｎｏｉｓｅＣＴＩＡｒｅａｄｏｕｔｃｉｒｃｕｉｔｈａｓｂｅｅｎｄｅｓｉｇｎｅｄ，ｗｈｉｃｈａｐｐｌｉｅｓｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ ｄｏｕｂｌｅｓａｍｐｌｉｎｇ（ＣＤＳ）ｔｏｔｈｅｏｕｔｐｕｔｏｆｔｈｅＣＴＩＡｃｉｒｃｕｉｔ．Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｒｅａｄｏｕｔｃｉｒｃｕｉｔｗｏｒｋｓｗｅｌｌ ７ ａｎｄｔｈｅｖｏｌｔａｇｅｒｅｓｐｏｎｓｉｖｉｔｙｃａｎｒｅａｃｈ７．１４×１０Ｖ／Ｗｗｈｅｎｔｈｅ５０ ｍ×５０ ｍｐｉｘｅｌｄｅｖｉｃｅｉｓｂｉａｓｅｄｗｉｔｈ－２．５Ｖ μ μ ａｎｄｒａｄｉａｔｅｄｗ