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不同转移工艺制备的垂直结构si衬底gan基led光衰分析
第1 章 绪论
图1.1GaN 两种结构的原子排列
（1）GaN 纤锌矿结构 （2 ）GaN 闪锌矿结构
图1.2GaN 的两种结构
通常条件下的GaN 材料都是纤锌矿结构，这种结构GaN 的a 和c 值分别
为0.3190nm 和0.5189nm[15-16] ，原子结构不同会造成这两种结构的GaN 材料的
性质不一样。表1-1 列出了这两种结构的GaN 材料的基本性质，从表中可以看
出稳定的GaN 的热导率为1.3 （K ，W/cm ），表明它具有良好的热传导性能。
[17]
在常温下，GaN 不会被酸碱腐蚀，化学性质极其稳定 。但在高温下，其能缓
慢地溶解于碱[18-19] 。另外，质量不好的GaN 能够被酸碱快速溶解。表1-2 是 -
Ⅴ族氮化物的物理性质。
表1-1 两种不同GaN 结构的性质的对比
性质 纤锌矿结构GaN 闪锌矿结构GaN
带隙（eg，ev ） 3.39（300K ）3.5（1.6K） 3.2-3.3
晶格常数（nm ，300K ） a=0.3189 0.452
b=0.5186
-6
线性膨胀系数（1/K,300K） a/a=5.59 10 _______
-6
b/b=3.17 10
热导率 （K ，W/cm 1.3 _______
介电常数 8.9 9.7
2
第1 章 绪论
1-2 族氮化物的物理性质
Ⅲ- Ⅴ族氮 晶格常数 热导率300k 禁带宽度 热膨胀系数
熔点（ ） -1 -1 -6 -1
化物 （nm ） （Wcm K ） Eg （300K ） （10 K ）
AlN a =0.311 3487 2.85 6.2 5.3 c-axis
0
c =0.498 4.2 c-axis
0
GaN a =0.318 2791 1.3 3.4 3.2 c-axis
0
c =0.518 5.6 c-axis
0
InN a =0.354 2146 0.3 0
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