当相变发生时,发现到有很多兩条DMMD聚集,但是一般3.PDFVIP

3.2.3 Type C 成長模式 當相變發生時，發現到有很多兩條 DMMD 聚集，但是一般 3×1 結構 DMDMDM 中，要產生兩條 MM 聚集，就只有當 DM 轉成 MD 時，在此際便會 行成 MM 聚集，這種成長模式，也就是所謂的 Type C 生成的方式。 這種類型的特徵就是聚集 2×1 區域而沒有造成氫原子脫附，這是很特別 的，原因在文獻[13]有提到說，2×1 區域的生長喜歡在已經存在的 2×1 區域中勝 過於在 3×1 區域中的 monohydride 中成長。從 Type C 的生成也驗證這種說法， 從圖 3.2.5 看出。(A)是為加熱前，(B)(C)(D)(E)(F)是加熱後可能的形成。從圖 3.2.5(B)可以得知加熱後原來應該是 DMDMD 的 3×1unit 後來其中由於 DM 轉 MD 而形成 DMMDD 的影像。在圖 3.2.5(D)(E)(F)中為 Type C 擴張的方式 ，此種 類型擴張是往 dimer row 方向成長，進而形兩列 MM 長鏈狀，仔細從圖 3.2.5 圖 中觀察到這種新成長的模式皆示從 3×1 區域 boundary 產生 ，進而縮小 3×1 區域 ， 擴張 2×1 區域。 在圖 3.2.5(B)中可以發現到 DM 轉 MD 過程中會轉變成容易結合脫附的兩列 DD(dihydride)與兩列 M(monohydride) ，而DD 即是產生如前面所提的 Type A 類 型 ，如果再此也發生 DD 脫附成一個 M 的話 ，就會巧妙的產生 Type B 類型形成 。 所以 Type C 或許是 Type B 的一種暫態 ，這是有可能的 ，從圖 3.2.6 中可以得知， 如果最先造成靠右邊的 Type C row 形成 ，接著左邊會產生的兩列 dihydride row ， 再來 dihydride 上造成氫結合脫附成氫原子，就造成此種影像。 46 (A) (B) (C) (D) (E) (F) 圖 3.2.5 (A)為未加熱前的STM影像 ，(B)(C)(D)(E)(F)皆為加熱到 583 K的影像 ，所 有樣品的大小皆為 6×6 nm2 ，樣品偏壓為2.36 V 。 47 圖 3.2.6 STM加熱 4.5 hours ，6×6 nm2 ，樣品偏壓為 2.36 V ，從圖中可以判知原本 為 3×1 結構，後來轉而變成靠右邊type C row ，因而在左邊造成dihydride row結 構，之後氫原子結合脫附後即造成如此的影像。 48 3.3 TypeA ，TypeB ，TypeC 的生成機制 接下來我們要討論的是三種模式是如何分別從 3×1unit中產生的，由於樣品 溫度保持在 583 K的溫度中 ，表面上的 1×1 區域會趨向形成 2×1 區域 ，所以便容 易造成相變，從Type A 中DD (dihydride(SiH2))轉變成一個M (monohydride(SiH)2) ， 在過程中會跑掉兩個氫原子，如圖 3.3.1 圖所示。圖中顯示出剛開始在DD結構 中，每一個dihydride提供一個H原子彼此結合成氫氣(H+H→H2 (g))脫附，而後 Si-Si bond重新鍵結，進而產生 2×1 dimer ，從圖3.1.4 可以看得到結合後dimer的 產生。 再來我們討論 Type B 的形成，如圖 3.3.2 所示。一個已知 Type B 的基本結 構是 3×1 DMD 的結構，在圖中顯現出起初可能相變有兩種可能情形，一種是會 先演變成 DMD 轉成 MD 的情形，進而造成氫脫附；另一種是未知的，必須做 real-time 實驗才能看出結果 。第一種相變的情形 ，從圖 3.3.3 模擬影像與真實 STM 影像