深能级瞬态谱仪-浙江大学试验室与设备管理处.DOC

PAGE 第PAGE 5页 编号： 编号： 浙江大学 购置大型仪器设备可行性论证 与审批报告 仪器设备名称 深能级瞬态谱仪 （深能级缺陷测量系统） 申 请 单 位 材料科学与工程系 硅材料国家重点实验室 申 请 人 余学功 项 目 负 责 人 杨德仁 经 费 来 源 国家科技重大专项 经费主管部门 科技部 申 请 日 期 2011年10月13日 实验室与设备管理处制 仪器设备中文名称 深能级瞬态谱仪（深能级缺陷测量系统） 仪器设备外文名称 Deep Level Transient Spectroscopy 型号规格 HERA-DLTS 申购数量 1 单价估计 人民币(元)：（略）万 (折合)外币：（略）欧元 主要技术指标 脉冲发生器：电压范围： ±100 V (±0.3m V ) 脉冲宽度：1 μs - 1000 s 电容测量：高频信号：1 MHz 电容补偿范围 1pF- 4200 pF HF–频率: 1MHz HF- 信号: 100mV 范围 [pF]: 3, 30, 300 和3000 (手动或自动) 灵敏度: 0.01 fF 电流放大器：最大测试电流: 15mA 电流分辨率: 10 pA 数字瞬态记录器：最大采样: 64000 data points 采样间隔: 2 μs - 4 s 温度范围：20K - 450K 软件: C/V, I/V, C(t) 测试软件; DLTS测试软件 测试功能：电容模式、定电容模式、电流模式、（双关联模式）、Zerbst模式、光激发模式、FET分析、MOS分析、等温瞬态谱、Trap profiling、俘获截面测量、I/V,I/V(T) 查理森Plot分析、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子诱导瞬态谱、DLOS 主要功能、应用范围 与共享学科 深能级瞬态谱仪（DLTS）是检测半导体材料中深能级杂质和晶体缺陷的最有用的方法。DLTS可以得到陷阱密度及其深度分布，陷阱上载流子的激活能以及陷阱中心对自由载流子的俘获截面等信息。 此外，DLTS还可用于光伏领域。用于检测太阳能电池材料中的各种杂质和缺陷，包括金属杂质以及点缺陷和位错的等各种缺陷类型，从而分析影响少子寿命的关键性杂质元素和缺陷。为提高太阳电池材料的质量和提高电池效率提供依据。 DLTS能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度分布的DLTS谱，集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析，可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布。 申 购 理 由 和 必 要 性 半导体器件的性能受半导体材料中缺陷行为的影响。这些缺陷主要是晶体中的有害杂质原子，点缺陷和一些扩展缺陷。如果它们在禁带中引起深能级，就能捕获电子或者空穴，成为复合中心。从而对半导体器件产生致命的影响。所以研究深能级缺陷的本质和控制它们在半导体材料生长及器件制造中的浓度，对提高半导体器件的成品率具有重要的意义。 目前,半导体材料中,特别是单晶硅材料中,缺陷密度低。一般的微观分析方法，如电子能谱，二次离子质谱仪，检测灵敏度低，很难用于深能级的检测。而阴极发光谱和光致发光谱尽管有较高灵敏度，但是它们只能检测具有辐射复合性质的缺陷中心。 而深能级瞬态谱（DLTS）正能克服上述缺点。它的检测灵敏度可以达到半导体材料掺杂剂浓度的万分之一甚至更低。同时，DLTS可以得出载流子的诸多信息，包括陷阱密度及其深度分布，陷阱上载流子的激活能以及陷阱中心对自由载流子的俘获截面等。 综上所述，深能级瞬态谱（DLTS）对研究半导体材料中的缺陷行为具有重要的意义。 调 研 情 况 1、本校有同类设备 0 台，使用情况调研如下：（不够可附页） 单 位 仪器编号 仪 器 名 称 使用情况(繁忙/一般/闲置） 是否开放 2、列出两家可供货厂商及相关情况(仪器性能、售后、价格等的比较，不够可附页) （略） 预期使用效益及风险预测 预期年有效使用机时: 500 小时/年 人员安排及仪器安装条件 1、人员安排 仪器负责人: 余学功 职称 副研究员 电话 （略） Email yuxuegong@zju.edu.cn 操作人员: 余学功 职称 副研究员 电话 （略） Email HYPERLINK mailto:yuxuegong@zju.edu.c yuxuegong@zju.edu.c 是否专职 是 2、安装条件： ①仪器安置地址：_ 玉泉 _校区_硅材料实验室第一栋 _楼_ 215_房间； ②房间面积： 10 m2，是否与其它仪器共用 否 ； ③供水供电及仪器