课题十七绝缘栅双极晶体管-河南工业职业技术学院.docVIP

课题十七 绝缘栅双极晶体管 基本课题：绝缘栅双极晶体管 目的要求：掌握绝缘栅双极晶体管的工作原理、特性、主要参数、驱动电路及使用中应注意的问题。熟悉其适用场合。 主要内容及重点难点 主要内容：基本结构与工作原理； 基本特性与主要参数； 驱动与保护 案例分析 教学重点: 结构与工作原理；驱动与保护 教学难点：结构与工作原理；驱动与保护 教学方法及教学手段 讲述法、归纳法 作业： 9 课题十七 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 一、基本结构与工作原理 1．基本结构 绝缘栅双极型晶体管IGBT(1soloted Gate Bipolar Transistor)，是三端器件，它的三个极为集电极(C)、栅极(G)和发射极(E)。IGBT是以GTR为主导器件，MOSFET为驱动器件的复合管，图中RN为晶体管基区内的调制电阻。 a) b) c) 图4-19 1GBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a)内部结构 b)简化等效电路 c)电气图形符号 2．工作原理：IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，它是一种压控型器件。 开通原理：当uGE为正且大于开启电压uGE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流使其导通。 关断原理：当栅极与发射极之间加反向电压或不加电压时，MOSFET内的沟道消失，晶体管无基极电流，IGBT关断。 二、1GBT的基本特性与主要参数 1.IGBT的基本特性 ①静态特性：与电力MOSFET相似，开启电压)随温度升高而略下降，温度升高1℃，其值下降5 mV左右。在+25℃时，uGE(th)的值一般为2～6 V。 a) b) 图4-20 1GBT的转移特性和输出特性 a)转移特性 b)输出特性 IGBT的输出特性与GTR的输出特性相似，分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。这分别与GTR的截止区、放大区和饱和区相对应。此外，当uCE＜0时，IGBT为反向阻断工作状态。在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。 ②动态特性：IGBT的开通过程与电力MOSFET的开通过程很相似，IGBT的开关速度要低于电力MOSFET。 2．主要参数：最大集-射极间电压UCEM、栅极-发射极额定电压UGEM、额定集电极电流ICM。 3．IGBT的擎住效应和安全工作区 擎住效应：在IGBT内部寄生着一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成的寄生晶体管。将会出现电流失控的现象，就像普通晶闸管被触发以后，即使撤销触发信号晶闸管仍然因进入正反馈过程而维持导通的机理一样，因此被称为擎住效应或自锁效应。 引发擎住效应的原因：可能是集电极电流过大(静态擎住效应)，也可能是最大允许电压上升率duCE／dt过大(动态擎住效应)，温度升高也会加重发生擎住效应的危险。 动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小，因此所允许的最大集电极电流实际上是根据动态擎住效应而确定的。 IGBT在导通工作状态的参数极限范围，即正向偏置安全工作电压(FBSOA)；根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率可以确定IGBT在阻断工作状态下的参数极限范围，即反向偏置安全工作电压(RBSOA)。 注意：擎住效应（目前已经解决）；IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起制成模块，成为逆导器件，选用时应加以注意。 三、IGBT的驱动与保护 1．IGBT的驱动电路 (1)对驱动电路的要求 ①驱动电路必须很可靠，保证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与IGBT的连线要尽量短。 ② 用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，IGBT开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率，使IGBT不退出饱和而损坏。 ③ 驱动电路中的正偏压应为12～15 V，负偏压应为–2～–10 V。 ④驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离。 ⑤驱动电路应尽可能简单实用，具有对IGBT的自保护功能，并有较强的抗干扰能力。 ⑥若为大电感负载，IGBT的关断时间不宜过短，以限制di／dt所形成的尖峰电压，保证IGBT的安全。 (2)驱动电路：集成化驱动电路 a) 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　b) a)阻尼滤波 b)光电隔离 2．IGBT保护 IGBT