晶格匹配In0.17Al0.83NGaN异质结电容散射机制.PDFVIP

First Read 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 67, No. 24 (2018) 247202 晶格匹配InAlN/GaN异质结 电容散射机制 任舰 苏丽娜 李文佳 (淮阴师范学院物联网工程系, 淮安 223600) ( 2018 年5 月29 日收到; 2018 年11 月1 日收到修改稿) 制备了晶格匹配InAlN/GaN 异质结圆形平面结构肖特基二极管, 通过测试和拟合器件的电容-频 率曲线, 研究了电容的频率散射机制. 结果表明: 在频率高于200 kHz 后, 积累区电容随频率出现增加现象, 而传统的电容模型无法解释该现象. 通过考虑漏电流、界面态和串联电阻等影响对传统模型进行修正, 修正后 的电容频率散射模型与实验结果很好地符合, 表明晶格匹配InAlN/GaN 异质结电容随频率散射是漏 电流、界面态和串联电阻共同作用的结果. 关键词: 晶格匹配, InAlN/GaN 异质结, 电容频率散射 PACS: 72.80.Ey, 73.40.Kp, 73.40.–c DOI: 10.7498/aps.67 鉴于此, 本文首先制备了方便测试电容的 1 引 言 圆形平面结构的晶格匹配InAlN/GaN 异 质结肖特基二极管, 该结构与HEMT 具有等效 与传统窄禁带半导体相比, 以GaN 为代表的 的栅极电流电容特性; 然后通过测试和拟合器 宽禁带III 族氮化物具有高电子饱和速度、高击穿 件变频电容-频率(- ) 特性, 分析了晶格匹配 电场与高热稳定性等优越的物理特性. 因此, GaN InAlN/GaN 异质结的电容频率散射机制. 材料及其异质结构非常适合用来制备高频大功率 13 电子器件 . 特别是自发极化效应显著的晶格匹 配InAlN/GaN 异质结, 由于能在界面处诱 2 器件制备与测试 导高浓度的二维电子气(2DEG), 逐渐成为高电子 迁移率晶体管(HEMT) 的核心结构46 . 但是, 晶 采用金属有机化合物气相沉积法在蓝宝石衬 格匹配InAlN/GaN HEMT 的广泛应用仍然 底上制备晶格匹配InAlN/GaN 异质结肖特 受到电流崩塌效应的限制, 在高频模式下工作时, 基二极管, 其外延结构如图1 (a) 所示, 主要包括3 器件输出功率无法达到理论预测值79 . 在传统硅 m 非掺杂GaN 层、18 nm 非掺杂InAlN 势 基金属氧化物半导体(MOS) 器件中, 电流崩塌主 垒层和1 nm AlN 隔离层. GaN 层生长温度为940 要由材料中的缺陷态引起, 研究人员通过电容- 电 ◦C, 压力为40 Torr (1 Torr 33.322 Pa), NH 压(- ) 曲线的频率散射行为来表征缺陷态的密 流量为1500 sccm (1 sccm = 1 mL/min), V/III 度1012 . 但是, 由于材料特性之间的差异, 晶格匹 比为3250. InAlN 层生长温度为760 ◦C, 压力 配InAlN/GaN HEMT 的电容频率散射机制 为200 Torr, TMAl, TMIn