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高k金属栅的可靠性研究-集成电路工程专业论文

原创性声明 本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独 立进行研究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不 包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本文的研 究作出重要贡献的个人和集体,均己在文中以明确方式标明。本声明 的法律责任由本人承担。 论文作者签名:盈蜀盘盘 日 锄l诤.S.≯≯ 关于学位论文使用授权的声明 本人同意学校保留或向国家有关部门或机构送交论文的印刷件 和电子版,允许论文被查阅和借阅;本人授权山东大学可以将本学位 论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩 印或其他复制手段保存论文和汇编本学位论文。 (保密论文在解密后应遵守此规定) 论文作者签名:阉登导师签名:色卫翌益日 期:翟!竺:£兰三 山东大学硕士学位论文 目录 摘要 I ABSTRACT ..III 符号表 ..VI 第一章绪论 : ..1 1.1前言 .1 1.2高k/金属栅的研究现状 2 1.2.1高k介质材料的研究现状 2 1.2.2金属栅材料的研究现状 8 1.3高k/金属栅的目前存在的问题 9 1.4高k/金属栅的可靠性研究现状 ..10 1.4.1阈值电压的滞后现象(hysteresis) j .10 1。4。2偏压温度不稳定性(BTI) 。13 1.4.3热载流子效应(HCI) ..18 1.4.4应力引起的漏电流(SILC) 18 1.4.5时变击穿(TDDB) ..19 1.5论文的主要内容 .2l 本章参考文献 22 第二章高k/金属栅的失效机理和寿命外推模型 29 2.1 TDDB的击穿机理与寿命外推模型 29 2.1.1 E模型(热化学模型) 29 2.1.2 1/E模型(阳极空穴注入模型) 一3 1 2.1.3幂函数模型(Vm模型) 一32 2.1.4指数Em模型 ..33 2.1.5四种模型对比 ..33 i 山东大学硕士学位论文 2.2 SILC机理与寿命外推模型 .34 2.2.1正电荷辅助隧穿模型 ..35 2.2.2陷阱辅助隧穿(TAT:TrapAssistant Tunneling) .35 2.2.3 SILC寿命外推模型 ..36 2.3 PBTI失效机理与寿命外推模型 ,36 2.3.1对数时间模型 一37 2.3.2指数时间模型 ..37 2.3.3幂函数时间模型 ..37 2.4器件可靠性相关的概念介绍 38 2.4.1击穿时间TBD 38 2.4.2临界陷阱密度NBD.. ..: 38 2.4.3陷阱产生速率m 38 2.5寿命预测相关的统计方法 . .39 2.5.1器件失效率与寿命 39 2.5.2器件可靠性的概念 40 2.5.3器件寿命的统计方法 41 本章参考文献 43 第三章高l淦属栅的TDDB寿命评估 .47 3.1高U金属栅MOSFET的制备 .48 3.1.1 MOSFET制备流程 48 3.1.2 TDDB测试方法 ..49 3。2实验结果与分析 ..5 1 3.2.1 TDDB击穿曲线分析 5l 3.2.2电压应力对TDDB的影响 ..52 3.2.3温度应力对TDDB的影响 ..54 3.2.4威布尔斜率p分析 56 本章参考文献 57 山东大学硕士学位论文 第四章高k/金属栅的SILC特性研究 59 4.1 SILC的测试方法 59 4.2 SILC结果与分析 60 4.2.1 SILC与监测电压的关系图谱 ..60 4.2.2 SILC峰值对应的陷阱能级计算 ..62 本章参考文献 67 第五章高k,金属栅的PBTI特性研究 70 5.1测试方法 ..70 5.2结果讨论与分析滞后现象 一7l 5.2.1滞后现象 71 5.2.2电压应力对PBTI的影响 .72 5.2.3温度应力对PBTI的影响 74 本章参考文献 77 第六章总结与展望 .79 6.1本文的主要结论 .79 6.2未来研究工作展望 .80 致谢 。81 在读期间发表的论文 . 82 山东大学硕士学位论文 ABSTRACT(in Chinese)...............................................................I ABSTRACT . ..III Symbol List .Ⅵ Chapter 1 Introduction..................................................................1 1.1 Foreword................................................................

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