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热处理对Mg-Al-Si-Ti-B系微晶玻璃析晶及介电性能的影响.PDF
第33 卷 第 12 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 33 No. 12
2018 年12 月 Journal of Inorganic Materials Dec., 2018
文章编号: 1000-324X(2018)12-1309-07 DOI: 10.15541/ji
热处理对 Mg-Al-Si-Ti-B 系微晶玻璃析晶及介电性能的影响
1,2 2 1 3 3 3
屈婧婧 , 魏 星 , 刘 飞 , 袁昌来 , 陈国华 , 黄先培
(1. 桂林电子科技大学 机电工程学院, 桂林 541004; 2. 桂林航天工业学院 科技处, 桂林 541004; 3. 桂林电子科
技大学 广西信息材料重点实验室, 桂林 541004)
摘 要: 采用差热分析仪(DSC), X 射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等测试手段, 研究了不同烧结制度下
19MgO-23Al O -53SiO -4TiO -2.5B O (wt%, M-A-S-T-B)系微晶玻璃样品的析晶过程、相成分与含量及微观形貌,
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并分析了核化与晶化时间对材料微波介电性能的影响关系。结果表明, 根据玻璃受控析晶机制, 当热处理制度为
850℃/2 h+950 ℃/2 h 时, 斜顽辉石(MgSiO )相得以较好的析出, 且伴随有 α-堇青石(Mg Al Si O ) 、镁铝硅酸盐
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(xMgO-y Al O -z SiO )和方石英(α-SiO )相的析出。随着核化时间的延长, M-A-S-T-B 体系各晶相种类及析出量变化
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不明显; 而随着晶化时间的延长(20 h), 材料的晶化程度提高, 品质因数(Q×f)得以提升, 颗粒状晶粒析出趋于显著;
但当晶化时间进一步延长至30 h 时, 样品致密度降低, 介电损耗略有增大。在热处理制度为850℃/2 h+950 ℃/20 h 下,
样品获得的微波介电性能较优: ε –6
=3.85 、τ ≈–5.37 ×10 / ℃和Q×f ≈12740 GHz(f =13.973 GHz) 。
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