ⅢⅤ族化合物半体太阳电池界面特性分析.docxVIP

己 己 ! 州台 J . 「 万 m 一V 族 化 合 物 半 导 体 是 指 采 用 元 素 周 期 表 中 的 第 111 族 和 第 V 族 元 素 组 成 的 多 元 合 金 半 导 体 ，常用 的 111 族 元 素 为 A l、G a和 In ， V 族 元 素 为 N 、 P 、A s和 Sb ， 由 这 些 元 素 组 成 的 二 元 和 三 元 化 合 物 半 导 体 如 G aA s 、InP 、 G aN 、 AI A s、G alnP 、 G alnA s、A llnP 和 四元 化 合 物 如A IG alnP 、A IG al认 s和 G alnN A S等 材 料 的带 隙覆 盖 了大 部 分 太 阳 光 谱 的 能 量 分 布 。 111一V 族 化 合 物 半 导 体 太 阳 电池 是 指 主 要 由元 素 周 期 表 中 的 第 111 族 和 第 V 族 元 素 组 成 的 多 元 合 金 半 导 体 作 为 太 阳 电 池 材 料 的 太 阳 电 池 ， 基 体 材 料 可 以 为 G aA S、hiP 、G e 、Si，或 转 移 到 Si、 有 机 膜 、玻 璃 和 其 它 半 导 体 材 料 上 ，材 料 的 生 长 设 备 一 般 采 用 金 属 有 机 物 化 学 气 相 沉 积 (M O C v D ) 或 分 子 束 外 延 (M B E ) 设 备 等 。 将 这 些 不 同 带 隙 的 111一V 族 化 合 物 半 导 体 太 阳 电 池 按 照 光 谱 匹 配 的 方 法 组 合 在 一 起 ，分 别 吸 收 不 同波 段 的 太 阳 光 ，就 成 为 多 结 太 阳 电池 ，这 种 结 构 太 阳 电池 可 以显 著 减 少 能 量 损 耗 ， 从 而 增 加 太 阳 电池 的 转 换 效 率 。 多 结 m 一V 族 化 合 物 半 导 体 太 阳 电池 与 si 太 阳 电池 相 比 ，具 有 带 隙 调 整 范 围 宽 、吸 收 系 数 大 、抗 辐 射 性 强 、效 率 高 、适 合 薄 膜 化 和 聚 光 应 用 等 优 点 。虽 然 111 一V 族 化 合 物 半 导 体 太 阳 电池 的制 造 成 本 高 、工 艺 复 杂 等 缺 点 ，但 是 ，由于 其 具 有 超 高 效 率 和 可 靠 性 等 特 性 ，使 其 在 许 多 高 性 能 卫 星 、空 间 飞 行 器 等 方 面 具 有 不 可 替 代 的作 用 ，尤 其 是 在 地 面 聚光 应 用 时 可 以显 著 提 高 性 能 和 降低 发 电成 本 ， 因此 ， 多 结 n l一V 族 化 合 物 半 导 体 太 阳 电 池 成 为 人 们 研 究 的 热 点 。 第 一 节 太 阳 电池 的研 究 现 状 1 、单 结 太 阳 电池 的研 究 进 展 自从 19 98 年 si 太 阳 电池 取 得 创 纪 录 的 效 率 25 0;0[ ’，2]以来 ，这 个 记 录 一 直 保 持 到 现 在 ，说 明这 种 结 构 的 晶体 硅 的 效 率 己经 接 近 效 率 极 限 ，达 到 了理 论 效 率 的 86 .2% (理 论 效率 为 29 0;01 5]) 。虽然 聚 光 能够 提 升太 阳 电池 的效 率 ，si 太 阳 电池 在 9 2 倍 聚 光 条 件 下 的 效 率 只 有 27 .6 % [4]。 单 结 G aA s太 阳 电 池 的 效 率 在 19 9 0年 达 到 2 5 .10，0 (K op in ，A IG 叭 s窗 口层 ) [，]， 到 20 10 年 达 到2 6 .4 % (F raunh o fe: IsE ) [61，经 过 2 0 年 时 间 ，效 率 才 增 加 了 1.3 个 百 分 点 。 到 2 0 11 年 ， 薄 膜 单 结 G aA S太 阳 电池 效 率 达 到 了27 .6 % 【‘]， 说 明 单 结 G aA s 太 阳 电池 效 率 很 难 再 提 高 。 如 表 l所 示 其 它 材 料 的 单 结 太 阳 电池 的 效 率 (A M I.s o ，ISu n ，2 5 oC ) ，如 h P (单 晶) 晶)太 阳 电池 效 率 达 到 2 2 .10，0 ， e dT e(on g lass)太 阳 电池 效 率 达 到 16 .7 % ，C IG S (on glass)太 阳 电池 效 率 达 到 19 .6 % ， 染 料 敏 化 太 阳 电池 效 率 达 到 10 斗% ， 有 机 聚 合 物 太 阳 电池 效 率 达 到 8 .3 % 。这 些 单 结 太