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芯片的集成制造工艺和实现方法的技术报告 芯片的集成制造工艺和实现方法的技术报告 编制日期：2017年6月29日 目 录 TOC \o 1-2 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc486497497 第一部分 概述 PAGEREF _Toc486497497 \h 1 HYPERLINK \l _Toc486497498 第二部分 芯片制造流程 PAGEREF _Toc486497498 \h 1 HYPERLINK \l _Toc486497499 第三部分 硅衬底 PAGEREF _Toc486497499 \h 3 HYPERLINK \l _Toc486497500 3.1 直拉法制造单晶硅棒 PAGEREF _Toc486497500 \h 3 HYPERLINK \l _Toc486497501 3.2 硅片制造 PAGEREF _Toc486497501 \h 4 HYPERLINK \l _Toc486497502 3.3外延 PAGEREF _Toc486497502 \h 4 HYPERLINK \l _Toc486497503 第四部分 光刻 PAGEREF _Toc486497503 \h 4 HYPERLINK \l _Toc486497504 4.1 光刻胶涂覆 PAGEREF _Toc486497504 \h 4 HYPERLINK \l _Toc486497505 4.2 掩膜与曝光 PAGEREF _Toc486497505 \h 5 HYPERLINK \l _Toc486497506 4.3 显影 PAGEREF _Toc486497506 \h 5 HYPERLINK \l _Toc486497507 4.4刻蚀与膜剥离 PAGEREF _Toc486497507 \h 5 HYPERLINK \l _Toc486497508 第五部分 氧化与掺杂、气相沉淀 PAGEREF _Toc486497508 \h 6 HYPERLINK \l _Toc486497509 5.1氧化 PAGEREF _Toc486497509 \h 6 HYPERLINK \l _Toc486497510 5.2 掺杂 PAGEREF _Toc486497510 \h 7 HYPERLINK \l _Toc486497511 5.3化学气相淀积 PAGEREF _Toc486497511 \h 7 HYPERLINK \l _Toc486497512 第六部分 芯片封装与测试 PAGEREF _Toc486497512 \h 7 PAGE 8 第一部分 概述 集成电路的制造工艺是一个非常复杂而又精密的过程，它是有若干单项制造工艺组合而成，从电路设计到芯片完成整个过程离不开集成电路制造工艺。本文先简单介绍芯片的制造流程，然后结合制造流程从硅衬底、光刻技术、氧化与掺杂、薄膜制备、测试封装来逐步介绍集成路的制造工艺和实现方法。 第二部分 芯片制造流程 2.1光罩制作 光罩是在生产半导体时，将线路印制在硅晶圆上所使用的模具。芯片设计公司完成产品设计后，将设计版图交付晶圆制造商，晶圆制造商依据版图制作光罩用于后续生产。 2.2 晶圆生产 2.3晶圆加工 2.4封装测试 第三部分 硅衬底 任何集成电路的制造都离不开衬底材料——单晶硅。制造单晶硅有两种方法：悬浮区熔法和直拉法，目前市场上的单晶大都是采用直拉法得到，这里仅介绍直拉法制造单晶硅。 3.1 直拉法制造单晶硅棒 图1——直拉法生长单晶硅装置示意图 首先将预处理好的多晶硅装入炉内的石英坩埚中，抽真空或者通入惰性气体进行熔硅处理。熔硅阶段坩埚位置的调节很重要。开始阶段，坩埚位置很高，待下部多晶硅融化后，坩埚逐渐下降至正常拉晶位置。带熔硅稳定后即可拉制单晶，拉晶时，籽晶轴以一定速度绕轴旋转，同时坩埚反方向旋转，然后在缓慢向上提拉，这是在液-固界面经过逐渐冷凝就形成了单晶。在单晶生长过程中应该保持熔硅液面在温度场中的位置不变。因此坩埚必须自动跟踪熔硅液面下降而上升，同时拉晶速度也应自动调节保持等直生长。所有自动调节过程均由计算机控制系统自动完成。 3.2 硅片制造 硅片的准备过程从单晶硅棒开始，到洁净的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。硅片加工过程包括很多步骤，所有的步骤为：切片、激光标识、倒角、磨片、腐蚀、背损伤、边缘镜面抛光、预热清晰、抵抗稳定退火、背封、粘片、抛光、检查前清晰、外观检查、金属清洗、擦片、激光检查和包装。这些步骤可以概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些材料的性能；能减少不期望的表