碳化硅MOSFET反向导通特性建模研究.PDFVIP

第X 卷 X 期 电 工 电 能 新 技 术 Vol.X ，NoX X 年 X 月 Advanced Technology of Electrical Engineering and Energy X. X 碳化硅MOSFET 反向导通特性建模研究 1，2 1 1 1，2 周志达 ，葛琼璇 ，赵 鲁 ，杨 博 （1. 中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室，中国科学院电工研究所，北京 100190； 2. 中国科学院大学，北京100049） 摘要：碳化硅宽禁带半导体器件因其损耗小、开关时间短以及温度特性稳定等诸多优点在中小 功率变换器得到广泛关注。对比Si IGBT，SiC MOSFET 的反向导通（第三象限运行）压降更低、 损耗更小、载流能力更高，在电机驱动、移相DC/DC 变换器以及同步整流器中应用更有优势。 本文首先研究了SiC MOSFET 反