fecosio 2mgf 纳米颗粒膜的高频软磁特性.docx

优秀毕业论文 精品参考文献资料 摘要 摘要 使得样品的平均各向异性显著降低，因此有效地地降低了矫顽力。 (2)研究了磁各向异性场Hk随X的变化。结果表明随着X的减小，样品的Hk与Hc的变 化趋势相反，先增大后减小，在0．48x0．7范围内Hk较大并且在x=0．57时，Hk最大达到 600e；说明在交换耦合比较强的区域，Hk有较大的值。 (3)对于x-O．48的样品，I-L-3．00e，p=1．10x104 laQ,em，同时具有明显的单轴各向异 性，如此高的电阻率和好的软磁性在纳米颗粒膜系统中不多见，预示该样品具有很好的高 频应用前景。 (4)用6 M(H)曲线对不同成份样品的研究表明样品的颗粒间存在铁磁性相互作用，即 交换耦合作用。并进一步用6 M(H)曲线研究了颗粒间这种相互作用的大小和变化趋势， 发现随着X的减小颗粒间交换耦合先增大后减小，在x=O．57时达到最大值。这是由于其微 结构满足实现交换耦合的最佳条件，颗粒之间交换耦合最强之故。 (5)穆斯堡尔谱测量结果表明： 1)交换耦合起显著作用的样品，磁矩位于膜面内或与膜面成一较小的角度。在x=0．57 时，磁矩与膜表面成的度角e=o。，磁矩完全躺在膜面内，x=0．52的样品，磁矩也几乎躺 在面内：而对于其他的样品由于颗粒间交换耦合较弱导致磁矩较大地偏离膜面。 2)随X减小，超精细场Hf下降，这与饱和磁化强度(地)随X下降的规律一致，说 明了颗粒表面效应导致磁性减小。 3)随x增大，线宽增加，系由于界面效应所致。 4)对X非常低的样品，如：X=o．22，穆斯堡尔谱呈现单峰，系由于超顺磁性所致。 (--)Fe65C035一MgF2系统 (1)溅射功率的大小对样品的晶体结构以及能否实现软磁性具有重大影响。在60 W 功率下制备的样品具有小的矫顽力，普遍小于10 Oe；而200w下制备的样品矫顽力很大， 系由FeF2相的出现导致。 (2)对在60w溅射功率下制备的样品，系统地研究了矫顽力Hc随体积分数x的变化 关系。在o．5X0．9的范围内，Hc先减小后增大，并在x=0．62处，矫顽力有极小值，Hc =6．2 Oe。饱和磁化强度随x的减小而减小，其原因与Fe65C035．Si02的一致。 (3)6 M(H)曲线的研究结果表明：Fe65C035．MgF2系统颗粒间的相互作用为类铁磁 Abstract性的相互作用，即交换耦合，它导致了低的矫顽力和高的磁导率。 Abstract 性的相互作用，即交换耦合，它导致了低的矫顽力和高的磁导率。 三、高频特性 利用短路微扰传输线法测量了样品的高频特性。 (1)对于Fe65C035-Si02系统，在o．48x0．7宽的范围内，获得了很好的高频性质， 具有很高的磁导率∥。和铁磁共振频率。力；并且在这一范围内样品具有很高的电 阻率p，颗粒薄膜的这些性质预示着这种样品具有很好的高频应用前景。 (2)对于x=O．57的Fe65C035-Si02典型样品，在／1．3GHz时，实部磁导率p 7保持 在170左右，而虚部磁导率较小；该样品共振频率．厂高达2．45GI-Iz，表明有很 好的高频应用前景。此外，对于x=0．48的样品，除了具有好的高频性质外， 还具有非常高的电阻率9=1．1 X 1049．Q*cm，预示着此样品在高频应用下具有很 小的涡流损耗。 (3)Fe65C035-MgF2系统也显示了很好的高频性质。x=O．62的典型样品，在／1．0 GHz时，复数磁导率的实部“’100，铁磁共振频率．力也高达2．4GHz，具有 很好的高频应用前景。 四、FeCo．Si02样品的传输性质 以往对金属一绝缘体颗粒膜的输运性质研究主要集中在介质区，而本工作中，我们系 统地研究了Fe65C035．Si02金属一绝缘体颗粒膜在全成分范围内的输运性质。 (一)在金属区，即zO．68时，pocT2，电阻温度系数为正，即具有金属性导电机制。 (二)在过渡区，当0．48x0．68时，电阻率具有负的温度电阻系数。在60 KT290 K 的区间内对测量数据进行拟合，结果发现poclog(1／T)，这说明过渡区样品在60K到室温 的区间内，其电导机制是增强的局域化的电子一电子相互作用。 (三)在介质区，x0．38时，电阻温度系数为负的，lnpocT-u2与实验曲线吻合，说明导电 机制为热激发电子隧穿性电导。 iV iV Abstract Abstra ct High frequency soft magnetic thin films，used in electromagnetic devices as