半导体光催基础第三章光催化剂.pptVIP

3.6 光催化剂 光催化研究的核心在于对于指定反应如何开发出一个高效、稳定、廉价的优良的光催化剂 。 目前，催化剂的制备“艺术”，仍然停留在经验或半经验的水平 。 3.6.1 光催化设计的一般原则 （1）半导体材料的选择 分类： 1. 价带电位较正，氧化能力较强的“O”型（如WO3等）； 2. 导带电位较负，具有较强还原能力的“R”型（如GaAs等）； 3. 能带结构与水的氧化还原电位有较佳匹配的“RO”型（如TiO2，SrTiO3） 光催化设计的一般原则 半导体的能带结构包括导带和价带的位置及带隙宽度； 考虑反应体系中氧还对的氧还电位 ； 利用太阳光分解水反应的半导体，带隙应在1.4~2.8eV的范围内，才能最大限度的利用太阳辐射能。 光催化设计的一般原则 （2）半导体的稳定性 既不发生暗态时的电化学腐蚀，反应条件下也不发生光腐蚀现象。 （3）提高半导体的光吸收系数 提高杂质浓度ND，将会增大吸收系数α。 （4） 减少表面复合中心的数目 表面担载合适的氧化还原对，形成有利的表面态位置和态密度。 3.6.2 催化剂制备工艺 催化剂制备工艺 随着光催化研究的快速发展，一些新的催化剂制备方法也不断出现。如：化学气相沉积（CVD），电沉积，沉积-沉淀法，等离子体注入及溶胶-凝胶法等。 最近，还有人将微波技术引入催化剂制备，虽然催化活性有所提高，但其作用机理