贴片钽电容的频率特性AVX钽电容温度特性曲线.pdf

贴片钽电容的频率特性 以下由AVX 代理希迪电子整理提供.未经许可授权,禁止转载! 我们知道每种电容都有它的频率特性,那么AVX 钽电容的频率特性是怎么样的呢?AVX 钽电 容随着频率的增加有效电容的值会减小，直到共振达到（通常视0.5 - 5MHz 的之间该评级）。 除了共振频率的设备变得感性。除了100kHz 的电容继续下降。下面以AVX 贴片钽电容 E 型的220UF 10V 规格为例,来说明钽电容的频率特性 . 扩展阅读: AVX 钽电容温度特性曲线 在介绍AVX 钽电容的温度特性曲线前,我们必需对以下两个基本概念有所认识: 额定容量 （CR ） 这是额定电容。对于钽OxiCap® 电容器的电容测量是在25° C 时等效串联电路使用测量电 桥提供一个0.5V RMS120Hz 的正弦信号，谐波与2.2Vd.c.偏见 . 电容公差 这是实际值的允许偏差电容额定值。如需阅读，请咨询AVX 技术出版物“ 电容固体钽电容器 “公差。 AVX 钽电容的温度特征。 钽电容器的电容随温度变化而发生变化。这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和 电容的大小。从下面的温度曲线图上可以看出在工作温度范围内，钽电容和铌电容的容量会 随着温度的上升而上升。 以上由AVX 代理商希迪电子整理提供 以下由AVX 代理商希望电子整理提供,详细情况请直接访问www.cdindustries.hk 损耗角正切 （TAN ）。 这是一个在电容器的能量损耗的测量。它表示，为棕褐色，是电容器的功率损耗其无功功 率分为一组指定的正弦电压频率。也用的术语是功率因数，损耗因子和介电损耗。 COS （90 - ）是真正的功率因数。 “使用测量进行测量谭桥梁，提供一个 0.5V RMS120Hz 的 正弦信号，免费谐波的2.2Vdc 的偏见。 耗散因数 （D.F.）。 耗散因数测量的切线损耗角 （TAN ），以百分比表示。测量 DF 是开展测量桥梁供应一个 0.5V RMS120Hz 的正弦信号，免费谐波与偏见2.2Vdc 。 DF 值是温度和频率依赖性。注 意：对于表面贴装产品所允许的最大 DF 值表示的收视率表是很重要请注意，这些限额会 见了由组件后基板上焊接。 耗散因数的频率依赖性 随着频率的增加损耗因数所示钽和 OxiCap 庐电容器的典型曲线相同的 http://www.smdinc.hk ： 耗散与温度的关系 耗散系数随温度变化的典型曲线表演。这些地块是钽和OxiCap 相同® 电容器。对于最高 限额，请参阅的评分表。 AVX 钽电容的阻抗(Z)。 这是电流电压的比值，在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗;半导体层的电阻电 容价值和电极和引线电感。在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定 这三个因素的阻抗行为阻抗Z 。阻抗是在25° C 和100kHz。 AVX 钽电容的等效串联电阻ESR。 阻力损失发生在一切可行的形式电容器。这些都是由几种不同的机制，包括电阻元件和触点， 粘性势力内介质和生产旁路的缺陷电流路径。为了表达对他们的这些损失的影响视为电容的 ESR。 ESR 的频率依赖性和可利用的关系;ESR 谭δ2πfC 其中F 是赫兹的频率，C 是电容 法拉。ESR 是在25 ° C 和100kHz 的测量。ESR 是阻抗的因素之一，在高频率 （100kHz 和以上）就变成了主导因素。从而ESR 和阻抗几乎成了相同，阻抗仅小幅走高。 AVX 钽电容的阻抗和ESR 的频率依赖性。 ESR 和阻抗都随频率的增加。在较低频率值作为额外的贡献分歧阻抗 （由于电容器的电抗） 变得更加重要。除了 1MHz 的 （和超越电容的谐振点）阻抗再次增加由于电感，电容的。 典型ESR 和阻抗值是类似的钽，铌氧化物材料，从而在相同的图表都有效钽电容和OxiCap® 电容器。 AVX 代理谈钽电容的阻抗与温度的关系 和ESR。在100kHz，阻抗和ESR 的行为相同，随着温度的升高下降的典型曲线 钽电容的浪涌电压 AVX 钽电容能承受的电压和电流浪涌能力是有限的，这是基于所有电解电容的共同属 性，一个值够高的电应力会穿过电介质，从而破坏了介质。例如一个 6 伏的钽电容在额定