华中科技大学《模拟电子技术基础》——CH07-1.pptVIP

7.1.1 FET电流源电路 1. MOSFET镜像电流源 再根据 便可求出电流值 IO的电流值与Rd无关 Rd的值在一定范围内变化时（VDS2 VGS-VTN），IO的电流值将保持不变，反映出IO的恒流特性。 7.1.1 FET电流源电路 1. MOSFET镜像电流源 动态电阻(交流电阻) 电流源是双口网络还是单口网络？ 代表符号 7.1.1 FET电流源电路 1. MOSFET镜像电流源 当器件具有不同的宽长比时 （?=0） ！用器件的宽长比调节电流 7.1.1 FET电流源电路 用T3代替R，T1~T3特性相同 1. MOSFET镜像电流源 T1~T3便可工作在饱和区 由于 所以 只要满足 输出电流为 7.1.1 FET电流源电路 动态电阻更大，恒流特性更好 2. 串级镜像电流源 需要注意，T4漏极接负载构成回路后，需要满足 例4.4.2 rds4 rds2 7.1.1 FET电流源电路 3. 组合电流源 除宽长比外，T0~T3特性相同， T4、T5特性相同 需保证所有管子工作在饱和区 用宽长比调节电流大小 7.1.1 FET电流源电路 4. JFET电流源 JFET是耗尽型管，所以VGS=0时工作在饱和区 耗尽型MOS管也可采用类似的方式构成电流源 7.1.2 BJT电流源电路 Rc的值在一定范围内变化时，IC2的电流值将保持不变，反映出IC2的恒流特性。 T1、T2的参数全同 1. 镜像电流源 7.1.2 BJT电流源电路 动态电阻 一般ro在几百千欧以上 1. 镜像电流源 7.1.2 BJT电流源电路 其他形式 1. 镜像电流源 NPN镜像电流源（电流阱） PNP镜像电流源 * 镜像电流源的缺陷： （1）若Ic1较大，R上的功耗就会大，对集成电路来说，空间很小，发热不易散发。 （2）若要求Ic1较小，R就必须大，对集成电路来说，很难做大电阻。 因此，需要改进电路。。。。。。 7.1.2 BJT电流源电路 由于 很小， 所以IC2也很小。 ro≈rce2（1＋ ） （参考射极偏置共射放大电路的输出电阻 ） 2. 微电流源 * * ④输出电阻 输出电阻 其中 则 当 时， 一般 （ ） （2）放大电路指标分析 输入回路 输出回路 列出输入和输出回路方程： * 微电流源小结： 增加一个射极电阻Re，在BJT一章已经证明rec电阻扩大了。 恒流当然减少了。 * 7.1.2 BJT电流源电路 3. 高输出阻抗电流源 （Wilson电流源） IC3是输出电流 T2管的ce串联在T3的发射极，作用等同Re 动态输出电阻ro比微电流源的动态输出电阻高β/2倍 7.1.2 BJT电流源电路 3. 高输出阻抗电流源 A1和A3分别是T1和T3的相对结面积 动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻高 * 高输出阻抗电流源小结： 用恒流源替代Re，rce输出电阻进一步增大。 * 电流源电路小结： 镜像电流源 高输出阻抗电流源 微电流源 无电阻 加电阻 扩大电阻 7.1.2 BJT电流源电路 T1、R1 和T4支路产生基准电流IREF T1和T2、T4和T5构成镜像电流源 T1和T3，T4和T6构成了微电流源 4. 组合电流源 * 多集电极晶体管镜像电流源 * 电流源小结： 镜像电流源 FET电流源 电流源电路 微电流源 高输出阻抗电流源 多路电流源 镜像电流源 多路电流源 JFET电流源 BJT电流源 电流阱 * 电流源的特点： 使晶体管工作在恒流区体现恒流特性 了解各种电流源的工作原理、特点和主要用途。 本节学习要求： 能在集成电路中识别电流源电路，会计算恒流值 给晶体管加载固定电压 晶体管的输出电阻为动态大电阻 在射极加电阻使输出电阻更大 华中科技大学 刘勃 * 华中科技大学 刘勃 * 华中科技大学 刘勃 * * 华中科技大学 刘勃 * 华中科技大学 刘勃 《电子技术基础》 模拟部分 （第六版） 华中科技大学 刘勃 电子技术基础模拟部分 1 绪论 2 运算放大器 3 二极管及其基本电路 4 场效应三极管及其放大电路 5 双极结型三极管及其放大电路 6 频率响应 7 模拟集成电路 8 反馈放大电路 9 功率放大电路 10 信号处理与信号产生电路 11 直流稳压电源 * 非线性电子器件分析方法总结归纳 详述了二极管、BJT和MOSFET工作机理 非线器件的分析方法： 静态工作点 图解 微变等效电路 非线器件的分析要素： 受控电源 动态电阻 静态工作点 求解参数： 加电压观电流 求解工具： 回路电压 节点电流 技巧： 输入输出电压之比，除掉两边共有量Ib/Vg