110804125MOCVD法生长量子阱激光器材料地地的综述1.doc

实用标准文案 精彩文档 MOCVD法生长量子阱激光器材料的综述 朱嘉诚1)110804125 王逸伦1)110804214 刘桐君1)110804206 刘恺呈1)110804205 扬州大学物理科学与技术学院 摘要：本文通过对金属有机化合物化学气相淀积（MOCVD）法和量子阱激光器基本原理的介绍，总结了使用MOCVD法生长量子阱激光器的优势。并分为可见光激光器, 光纤通讯用激光器和808nm大功率量子阱激光器3个方向简单阐述了目前量子阱激光器的一些主要应用。最后对量子阱激光器的发展前景作出展望。 关键词：量子阱激光器；金属有机化合物化学气相淀积 引 言 半导体激光器自从1962年诞生以来, 就以其优越的性能得到了极为广泛的应用, 随着新材料结构和制造工艺的不断提高, 其各方面性能也不断得到改善, 应用范围也渗透到材料加工、精密测量、军事、医学和生物等领域, 正在迅速占领过去由气体和固体激光器所占据的市场。 20世纪80年代量子阱激光器的出现时半导体激光器发展过程中的里程碑之一。制作量子阱结构需要用超薄层的薄膜生长技术, 金属有机化合物化学气相淀积（MOCVD）就是其中之一, 即材料各层结构的外延生长由MOCVD的方法来完成, 这一直是长久以来半导体激光器科研的重要方向。 2. 金属有机化合物化学气相淀积（MOCVD）简介 MOCVD(或MOVPE)意为金属有机化学汽相外延淀积（或金属有机汽相外延），是一种制备化合物半导体薄层单晶材料的方法。金属有机化学汽相淀积（MOCVD）是在汽相外延生长（VPE）的基础上发展起来的一种新型汽相外延生长技术。它采用Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长原料，以热分解反应方式在衬底上进行汽相外延，生长各种Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄膜层单晶材料。 MOCVD设备将Ⅱ或Ⅲ族金属有机化合物与Ⅳ或Ⅴ族元素的氢化物相混合后通入反应腔，混合气体流经加热的衬底表面时，在衬底表面发生热分解反应，并外延生长成化合物单晶薄膜。与其他外延生长技术相比，MOCVD技术有着如下优点： 1、用于生长化合物半导体材料的各组分和掺杂剂都是以气态的方式通入反应室，因此，可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的组分、掺杂浓度、厚度等。可以用于生长薄层和超薄层材料。 2、反应室中气体流速较快。因此，在需要改变多元化合物的组分和掺杂浓度时，可以迅速进行改变，减小记忆效应发生的可能性。这有利于获得陡峭的界面，适于进行异质结构和超晶格、量子阱材料的生长。 3、晶体生长是以热解化学反应的方式进行的，是单温区外延生长。只要控制好反应源气流和温度分布的均匀性，就可以保证外延材料的均匀性。因此，适于多片和大片的外延生长，便于工业化大批量生产。 4、通常情况下，晶体生长速率与Ⅲ族源的流量成正比，因此，生长速率调节范围较广。较快的生长速率适用于批量生长。 5、使用较灵活。原则上只要能够选择合适的原材料就可以进行包含该元素的材料的MOCVD生长。而可供选择作为反应源的金属有机化合物种类较多，性质也有一定的差别。 6、由于对真空度的要求较低，反应室的结构较简单。 7、随着检测技术的发展，可以对MOCVD的生长过程进行在线监测。 3. 量子阱激光器简介 量子阱结构的提出源于60年代末期贝尔实验室的江崎(Esaki)和朱肇祥关于超薄层晶体的量子尺寸效应的研究。他们发现，当超薄有源层材料晶格尺度小于电子的德布罗意波长时，有源区就变成了势阱区，其两侧的宽禁带系材料成为势垒区，电子和空穴沿垂直阱壁方向的运动时将出现量子化特点。 量子阱是指由窄禁带系超薄层被夹在两个宽带系超薄层之间排列而形成的，具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。在由2种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构中，如果势垒层足够厚，以致相邻势阱之间载流子渡越函数之间耦合很小，则多层结构将形成许多分离的量子阱，称为多量子阱。如果势垒层很薄，相邻阱之间的耦合很强，原来在各量子阱中分立的能级将扩展成能带，能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及势垒的厚度有关，这样的多层结构称为超晶格。? 量子阱结构中因为其有源层厚度仅在电子平均自由程内，所以阱壁起到很好的限制作用，使阱中载流子只在平行与阱壁的平面内有二维自由度。在具有二维自由度的量子阱中，电子和空穴的态密度与能量的关系为台阶形状，其阶梯状能带允许注入的载流子依子代逐级填充，提高了注入有源层内载流子的利用率，故量子阱激光器的微分增益远高于一般体材料激光器。 综上,利用MOCVD法易于通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的组分、掺杂浓度、厚度等；反应室中气体流速较快，有利于获得陡峭的界面，适于进行异质结构和超晶格、量子阱材料的生长；适于多片和大片的外延生长，便于工业化大批量生产且使