第三章晶体硅太阳能电池的基本原理课件.ppt

由于半导体不是电的良导体，电子在通过p－n结后如果在半导体中流动，电阻非常大，损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属，阳光就不能通过，电流就不能产生，因此一般用金属网格覆盖p－n结（如图栅状电极），以增加入射光的面积。 另外硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，不能被电池利用。为此，科学家们给它涂上了一层反射系数非常小的保护膜，将反射损失减小到5％甚至更小。一个电池所能提供的电流和电压毕竟有限，于是人们又将很多电池（通常是36个）并联或串联起来使用，形成太阳能光电板。 * 18年 3.3 太阳能电池的电学性能 3.3.1 标准测试条件 光源辐照度：1000W/m2 测试温度：250C AM1.5太阳光谱辐照度分布 * 18年 3.3.2 太阳电池等效电路 Rse表示来自电极接触、基体材料等欧姆损耗的串联电阻 Rsh表示来自泄漏电流的旁路电阻 RL表示负载电阻 ID表示二极管电流 IL表示光生电流 晶体硅太阳电池的等效电路 * 18年 根据等效电路 将p-n结二极管电流方程 代入上式的输出电流 式中q为电子电量， k为波尔兹曼常数，T为绝对温度，n为二极管质量因子。 理想情况下， Rsh→∞ ,Rse→0 * 18年 3.3.3 太阳电池的主要技术参数 伏安特性曲线（I-V曲线） 当负载RL从0 变化到无穷大时，输出电压V 则从0 变到VOC，同时输出电流便从ISC变到0，由此得到电池的输出特性曲线 太阳能电池的伏安曲线 电池产生 的电能 M vm Im 0 * 18年 最大功率点 M点为改太阳电池的最佳工作点 太阳能电池的伏安曲线 电池产生 的电能 M vm Im 0 * 18年 短路电流是指当穿过电池的电压为零时流过电池的电流（或者说电池被短路时的电流）。通常记作ISC。 短路电流源于光生载流子的产生和收集。对于电阻阻抗最小的理想太阳能电池来说，短路电流就等于光生电流。因此短路电流是电池能输出的最大电流。 在AM1.5大气质量光谱下的硅太阳能电池，其可能的最大电流为46mA/cm2。实验室测得的数据已经达到42mA/cm2，而商业用太阳能电池的短路电流在28到35mA/cm2之间。 * 18年 开路电压VOC是太阳能电池能输出的最大电压，此时输出电流为零。开路电压的大小相当于光生电流在电池两边加的正向偏压。开路电压如下图伏安曲线所示。 开路电压是太阳能电池的最大电压，即净电流为零时的电压。 * 18年 ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 第三章 晶体硅太阳能电池的基本原理 3.1 太阳电池的分类 按基体材料分 1. 硅太阳电池 单晶硅太阳电池 多晶硅太阳电池 非晶硅太阳电池 微晶硅太阳电池 2. 化合物太阳电池 砷化镓太阳能电池 碲化镉太阳能电池 铜铟镓硒太阳能电池 * 18年 3.2 太阳电池的分类工作原理 太阳电池基本构造：半导体的PN结 导体：铜（106/(?·cm)） 绝缘体: 石英（SiO2(10-16/(?·cm))） 半导体: 10-4——104/(?·cm) 半导体 元素：硅（SiO2）、锗（Ge）、硒（Se）等 化合物：硫化镉（CdS）、砷化镓（GaAs）等 合金：GaxAl1-xAs(x为0-1之间的任意数) 有机半导体 3.2.1 半导体 * 18年 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 硅是四价元素，每个原子的 最外层上有4个电子。 这4个电子又被称为价电子 硅晶体中，每个原子有4个 相邻原子，并和每一个相邻 原子共有2个价电子，形成 稳定的8原子壳层。 * 18年 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量升高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，称为自由电子。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现一个空位，称为空穴。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由 电子 空穴 * 18年 3.2.2 能带结构 量子力学证明，由于晶体中各原子间的相互影响，原来各原子中能量相近的能级将分裂成一系列和原能级接近的新能级。这些新能级基本上连成一片，形成能带 当N个原子靠近形成晶体时，由于各原子间的相互作用，对应于原来孤立原子的一个能级，就分裂成N条靠得很近的能级。使原来处于相同能级上的电子，不再有相同的能量，而处于N个很接近的新能级上。 由于晶体中原子的周期性排列，价电子不再为单个原子所有的现象。共有化的电子可以在不同原子中的相似轨道上转移，可以在整个固体中运动。 * 18年 n = 3 n = 2 原子能级 能带 N条能级 ΔE 禁带 * 18年 满带：排满电子的能带 空带：未排电子的能带 未满带：排了电子但未排满的能带 禁带：不能排电子的区域