第一章、半导体中的电子状态.ppt

受主杂质 受主能级 在硅中掺入3价的硼B，硼原子有3个价电子，与周围四个硅原子形成共价鍵，缺少一个电子，必须从周围获得一个电子，成为负电中心B-。 硼的能级距价带能级顶部很近，容易得到电子。 负电中心B-不能移动；而价带顶的空穴易于被周围电子填充，形成空穴的移动，即“导电空穴”。 这种能够接受电子的杂质称之为“受主杂质”，或P型杂质。 受主杂质获得电子的过程称之为“受主电离”； 受主束缚电子的能量状态称之为“受主能级EA”； 受主能级比价带顶EV高“电离能?EA” 。 * 半导体的掺杂 P+ 受 主 掺 杂 施 主 掺 杂 B－ 与硅结合后，剩一个施主电子，可提供为载流子（施主）。 与硅结合后，少一个电子，从邻近的硅原子中夺一个价电子（受主），硅晶体中产生了空穴，成为了另一类载流子。 * 施主能级 受主能级 杂质可以使电子在其周围运动形成量子态 杂质能级 * 电离能的大小： 硅中掺磷为0.044，掺硼为0.045(eV)。 锗中掺磷为0.0126，掺硼为0.01(eV)。 这种电离能很小，杂质可以在很低的温度下电离。故称之为“浅能级杂质”，在室温几乎全部电离。 杂质能级用短线表示，因杂质浓度与硅相比很低，杂质原子相互之间几乎无作用，杂质能级相同，量子的排斥原理对低浓度的杂质掺杂不起作用。 * 浅能级杂质电离能的简单计算 使用类氢模型计算： E0=13.6eV(氢基态)， m0电子惯性质量， ?r相对介电常数 * 杂质的补偿作用 同时掺入P型和n型两种杂质，它们会相互抵消。 若NDNA,则为n型半导体，n= ND-NA ； 反之为P型，p= NA-ND。 其净杂质浓度称之为“有效杂质浓度”。 值得注意的是，当两种杂质的含量均较高且浓度基本相同时，材料容易被误认为是“高纯半导体”，实际上，过多的杂质含量会使半导体的性能变差，不能用于制造器件。 * 深能级杂质 重金属元素掺入半导体中会引入深能级。 “+”或“-”号分别表示该能级是施主或受主能级 一个深能级杂质能产生多个杂质能级。如I族的铜、银、金能产生三个受主能级；II族元素锌、镉、汞在硅、锗中各产生两个受主能级。 其原因是什么呢？ * 金在锗中的多能级 金 是1价元素，中性的金有一个价电子。在锗中，金的价电子若电离跃入导带，则成为施主。然而，此价电子被多个共价键束缚，电离能很大，故为“深施主”。另一方面，金比锗少三个电子。锗的整体结构要求每个原子为四价，因此，金有可能接受三个电子，形成EA1、 EA2、EA3三个受主能级。当金接受了一个电子后，成为Au-，再接受一个电子将受到负电中心的排斥作用，难度更大。因而受主能级EA2将更大。 EA3最大，能级最深，非常靠近导带。 含量很少。作用是捕获电子，即电子陷阱。由于它能够消除积累的空间电荷，减少电容，故可提高器件速度。 * III – V 族化合物中的杂质能级 III-V族化合物是两种元素1:1构成的物质。杂质进入后，可以成为间隙或替位式杂质。 当III族杂质和V族杂质掺入III-V族化合物中时，实验中测不到杂质的影响，因为它们没有在禁带中引入能级。 但有些V族元素的取代会产生能级，此能级为等电子能级，效应称之为“等电子杂质效应”： 杂质电子与基质原子的价电子数量相等。替代格点原子后，仍为电中性。但是，原子序数不同导致了原子的“共价半径”和“电负性”不同，即对电子的束缚能力不同于格点原子，能俘获电荷成为带电中心，形成电子陷阱或正电荷陷阱。 该陷阱俘获载流子后，又能俘获相反符号的电荷，形成“束缚激子”。这种束缚激子在间接带隙半导体制成了发光器件中起主要作用。 * III – V 族化合物中的杂质能级 IV族元素碳、硅、锗等掺入III-V族化合物中，若取代III族元素起施主作用；若取代V族元素起受主作用。总效果是施主还是受主与掺杂条件有关。 例如，硅在砷化镓中引入一个浅的施主能级，即硅起施主作用，向导带提供电子。当硅杂质浓度达到一定程度后，导带电子浓度趋向饱和，杂质的有效浓度反而降低。 总之，硅掺入砷化镓不仅能取代III族的镓起施主作用，而且还能取代V族的砷起受主的作用。其施主能级为Εc-0.002eV，受主能级为ΕV+0.03eV。 * 点缺陷、位错能级 这种缺陷主要有两种表现形式：肖特基缺陷或弗仑克尔缺陷。当原子脱离晶格到达表面时，为肖特基缺陷或空位缺陷；而当原子进入间隙位置时，为弗仑克尔缺陷或间隙缺陷。 点缺陷 因温度导致了原子的热振动，造成了原子离开原有位置，形成空位，即晶格中出现了缺陷，称之为点缺陷或热缺陷。 空位缺陷的最近邻有四个原子，每个原子有一个不成对的电子，为不饱和的共价键，有接受电子的倾向，表现出受主的作用。反之，间隙缺陷有四个可以失去的价电子，表现为施主。 * 点缺陷的形成 —— 包括空位、间隙