实验十二 晶体电光效应与电光调制实验.docVIP

PAGE PAGE 2 实验十二 晶体电光效应与电光调制实验 一、实验目的 掌握晶体电光调制的原理和实验方法； 测量晶体的半波电压以及电光系数； 利用电光调制实现模拟光通讯。 二、实验原理 1. 晶体的电光效应 某些介质的折射率在外加电场E的作用下发生改变，这种现象称为电光效应。实验表明电场引起的折射率 n 的变化用下式表示: (1) 图1. 晶体折射率椭球式中a 和 b为常数。由一次项 aE 引起折射率变化的效应，称为一次电光效应，也称线性电光效应或称泡克尔斯效应（Pokells Effect ）；由二次项bE2 引起折射率变化的效应，称为二次电光效应，也称非线性电光效应或称克尔效应（Kerr Effect ）。线性电光效应只存在于 图1. 晶体折射率椭球 光在各向异性晶体中传播时，在晶体的一个给定方向上，一般存在着两个可能的线偏振模式，每个模式具有唯一的偏振方向和相应的折射率，而描述这两个相互正交的偏振光在晶体中传播的行为通常用折射率椭球的方法，即 （2） 式中，x，y，z为晶体的介电主轴方向，即晶体在这些方向上的电位移矢量D与电场矢量E是平行的，其对应的折射率为nx，ny和nz。 当晶体上加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球的方程变为 （3） 式中交叉项由电场引起，表示变形后形成的新椭球主轴（感应主轴）和原先的主轴不重合。 另一方面，对线性电光效应，考虑到电场分量方向后，式（1）表示为， （ 3.1） 其中Ek为外电场分量，系数γijk为三阶张量，称为晶体的电光张量系数，有27个元素。三个角标i，j，k分别取 x，y，z，而习惯上更为普遍地用1，2，3表示。利用晶体的对称性，并将角标ij作如下替换：11→1， 22→2， 33→3，23→4，13→5，12→6，式（3）改写为 （3.2） 同时，γijk可约化为18个元素的二阶张量γij，式（3.1）改写为 （3.3） 具体表示为： （4） 或写为矩阵形式： （5） 其中 （6） 即为晶体电光张量的矩阵表示。 2.铌酸锂晶体晶体的电光效应 铌酸锂晶体（LiNbO3，LN）属三方晶体，是各向异性的单轴晶体。主轴Z方向有一个三次旋转轴，光轴与Z轴重合,折射率椭球是旋转椭球。它具有优良的压电、电光、声光、非线性光学等性能。本实验采用的是LN晶体。 Zyxn1n2n3图2：折射率椭球LN晶体的折射率为n1=n2=n Z y x n1 n2 n3 图2：折射率椭球 其电光系数?为： （7） 没有加电场之前，LN的折射率椭球为 （8） 加上电场之后，由式（7）代入式（5）有 ， ， ， 再将上述各式代入式（3.2），则其折射率椭球为: （9） 在本实验中，采用横向调制方式，即光束沿z轴传播，外加电场沿x轴。并设晶体在z方向的长度为l、宽度为a、厚度为d，如图3所示，即 Ex = E≠0 ，Ey = Ez = 0 d d a x y z l 通光方向 图3 晶体几何图示 这时折射率椭球简化为 （10） 考虑到，可忽略第三项，即 （11） 将xyz坐标系沿z轴旋转450进行坐标变换（主轴变换），得到坐标系，坐标变换关系为 （12） 或 ， ， （13） 代入式（11），有 （14） 上式改写为 （15） 形式。新的主轴和称为施加电场后的感应主轴，对应的感应主折射率为： （16） 上述表明，加了电场作用后，LN晶体变为双轴晶体，其折射率椭球发生了变化，折射率椭球的z轴方向和长度基本不变，而在z＝0平面内，折射率椭球的截面由半径为n0的圆xoy变为长短半轴分别为和椭圆， 椭圆的长短轴方向、相对于原主轴x、y绕z轴旋转了450，转角的大小与外加电场大小无关，而椭圆的长短半轴长度、的大小与外加电场成线性关系。 3. 电光位相延迟和电光补偿器 电场的作用使得光进入晶体后沿感应轴方向分解为两个偏振方向正交的线偏振光，它们的折射率不同，在晶体内传播一定距离l后产生相应的位相差，此即电光位相延迟。 由式（16）式可知，沿z轴传播的光，和两个偏振方向的位相延迟为：