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第三章 元素导体材料
3 元素半导体材料 目前发现的元素半导体材料：Si、Ge、C(金刚石)、Se、α-Sn(灰锡)、P(磷)、Te(碲)、B； 3.1 硅 1824年，别尔泽留斯（Berzelius J. J.）——非晶Si； Si在地壳中的丰度为25.7%，仅次于氧。 3.1.1Si的化学性质 三种同位素：28Si(92.23%)、29Si(4.67%)、30Si(3.10%)。 原子半径：0.1175nm；Si4+半径：0.039nm 自然界没有游离的Si元素，均以氧化物（SiO2）或硅酸盐等化合物状态存在。 Si在常温下不溶于单一的强酸，易溶于碱。 高温下，与H2、卤素、N2、S和熔融金属发生反应，分别生成SiH4、SiCl4、Si3N4、SiS2等和多种金属硅化合物。 Si与Ge可以任意比例形成SiGe固溶体而与C则形成共价化合物。 * * 3.1.2 晶体结构和能带 金刚石型 a=0.5430710nm 大间距晶面的面间距为0.3135nm，小间距晶面的面间距为0.0784nm。 3.1.3 电学性质 (1) 带隙和本征载流子浓度 导带态密度常数Nc 价带态密度常数Nv Si的本征载流子浓度： (2)电阻率 Si的本征电阻率 室温时，Si的?n=1500cm2/(V·s)， ?p=450cm2/(V·s)， ni=1.07×1010cm-3 Si的本征电阻率为2.99×105Ω·cm 掺B浓度为NB时，p型单晶Si电阻率ρ为： 掺P浓度为NP时，n型单晶Si电阻率ρ为： 3.1.4光学性质 3.1.5 Si中的杂质 n型掺杂剂——P、As、Sb p型掺杂剂——B 轻元素杂质——O、C、N、H 金属杂质——Fe、Cu、Ni等 3.1.6 Si中的缺陷 (1).原生缺陷——本征缺陷 空位和自间隙； (2).二次缺陷——工艺诱生缺陷 (3).外延材料中的缺陷 位错、外延堆垛层错、微缺陷（雾状）、棱锥 半导体单晶中的缺陷 位错：一方面，吸引其周围点缺陷，增加少子寿命 一方面，晶格畸变增大，使载流子复合，少子寿命减小 刃位错：悬挂键，受主能级 3.1.7 Si的力学和热学性质 容易解理； 在100-1000K温度范围，Si的热导率k为： 3.2 锗 1886年，德国科学家温克莱尔（Winkler CA） 首先从银硫锗矿（Ag8GeS6）中分离出Ge； Ge在地壳中的丰度仅为1.3～4×10-6。 2.2.1化学性质 Ge有5个稳定的同位素： Ge70(20.4%)、 Ge72(27.4%) 、 Ge73(7.8%) 、 Ge74(36.6%) 、 Ge76(7.8%)。 室温时，Ge在空气、水和氧气中稳定，不与盐酸、稀硫酸、浓氢氟酸和浓NaOH溶液发生反应。 Ge可溶解在3%H2O2溶液中并形成GeO2沉淀； Ge不与C起反应。 3.2.2物理性质 金刚石结构 晶格常数——0.565790nm 密度——5.3234g/cm3（比色法） 5.324264g/cm3（X射线法） 石墨 金刚石
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