成品率估计与提升技术分析.pdfVIP

2 成品率估计与提升技术研究 产能力等紧密结合在一起，使集成电路的成品率和利润达到最优化。 本论文将从改进工艺和提高设计的角度出发，围绕纳米以后技术点VLSI制 造中投资增加而成品率下降的关键问题展开研究，力争将各学科的最新技术如线 性规划、图像处理及专家系统等领域的最新进展应用于成品率估计与增强中。本 文工作对解决纳米技术节点投资剧增与成品率降低的突出矛盾，对晶片成品率的 提升和产品的上市时间缩短及工艺设备的延伸等具有重要的意义。 1．2成品率估计与提升技术的研究现状 成品率估计与提升技术的研究是一项集半导体制造工艺控制、智能信息处 理、动态规划和缺陷检测仪器发展等为一体的综合性系统工程，其研究不仅属 于高新技术交叉领域，而且在刷新和挑战着科学技术的极限。尽管如此，因其 研究意义重大，因而在国内外无论在学术上还是在应用上都受到相当的关注与 研究。 IC功能成品率估计与提升的早期工作可追溯到20世纪60年代初期。早期的 研究目标比起现在要简单得多，就是寻求成品率与芯片(或电路)面积的关系，当 时大多数研究都是试图推导用于成品率预报的解析公式。由于以上研究未包含芯 片版图信息，因此所得到的公式仅适用于某些特殊版图和一些典型工艺过程。这 些早期研究有其严重的局限性。 假定栅电极上氧化物针孔缺陷的数目服从Poisson分布，并假定各栅间的氧化物 针孔缺陷的分布彼此独立，则一具有N个管子的芯片的功能成品率Y，为【卜7】 YF=exp(一D枣N毒Ao) 其中D为平均缺陷密度，Ao为单个管子栅氧化物的关键面积。 Moore【1。8】发现圆片与圆片之间、芯片与芯片之间的缺陷密度有变化，用 到低于实际成品率的预报结果。尽管如此，很多研究工作还是采用了Bolzmann 和Poisson这种悲观的估计，其主要是由于数学处理的方便和工艺数据的缺乏。 后来的实验发现，成品率下降与其说是一类主要缺陷作用的结果，倒不如说是几 类缺陷共同作用的结果，而对于每一类缺陷的成品率下降是很小的。假设每一类 实测的成品率，他同时指出Poisson统计只有缺陷在硅片上是均匀分布时才是正 第一章绪论 3 确的，这一点Stapper用母函数法得到了证明ll-I叭。事实上，缺陷在硅圆片上是 成团分布的【1。111，这导致实际的成品率比Poisson统计所得到的成品率要高。因 此，Murphy假设缺陷密度D在芯片内为常数(即缺陷在芯片内是均匀分布的)，而 复合IC功能成品率Y，为【l-12】 吧 exp(一D掌彳c)幸厂(D)奶 I=J (1—1) 1q 一 式中Ac为芯片的平均关键面积，而f(D)满足I厂(D)扣=1 O 一函数分布、三角分布和矩形分布后，得到了Murphy成品率表示。以后，Seed， 是IBM的Stapper提出的负二项式模型【卜14】。该模型假设芯片之间缺陷密盯度的 变化服从r一分布，这很好的刻画了缺陷的成团。实践证明该负二项式模型与实 验结果符合得很好，因此该模型获得了广泛的应用。进一步的研究发现成团因子 与芯片面积有很大的关系。目前，最新的功能成品率模型为I．Koren推广了 Stapper的负二项式模型所得到得统一的负二项式模型，该模型统一考虑了缺陷 的大面积、中面积和小面积成团现象。 从集成电路功能成品率模型的发展可以看出，决定集成电路功能成品率的两 个主要因素是芯片版图的几何信息和集成电路制造过程中的工艺参数，如图1．1 所示。 图1．1功能成品率的决定因素 缺陷的空间分布用于成团因子的估计和冗余策略的设计，而缺陷的粒径分布 对关键面积的估计至关重要，而且IC关键面积的估计结果对缺陷粒径变化很敏感 【ld引。