光电子集成-EEFOCUS.PDF

6.772/SMA5111 – 化合物半导体 第二十五讲 -光电子集成 –概论 •动机：OEIC应用的提出 (它们有什么价值;为什么尝试?) 片内和片间光学互连和分布式时钟 光纤收发器 智能传感器 智能象素阵列并行处理器 •挑战 (困难所在) 材料失配：晶格周期；热膨胀 晶片不相容：直径不匹配 •解决方法 传统的混和装配：多片模块 全单片集成电路工艺过程开发 在IC上进行模块集成： 在电子器件上外延生长 倒装芯片凸点焊接和底层去除 自组装(高度混和或准单块集成电路) C. G. Fonstad, 5/03 Lecture- Slide 1 25 光学焊剂凸点：焊接有IC芯片的多芯片基底 光学焊接凸点 金属焊接凸点 光源 探测器 光信号片上互连 光信号片间互连 多芯片模块基底 传统的金属连接线，用于电 用于光信号分配的平面光波导 源，接地和电信号发送 C. G. Fonstad, 5/03 Lecture 25- Slide 2 OEIC的应用：小巧的象素阵列 “计算、数据与图像的并行处理、加密/解码” 光束 小巧的象素阵列 衍射单元阵列 信息传输 – 平面内：电方式 平面间：光学方式 OEIC象素 探测器上的VCSEL阵列 DE象素 ×33光束控制全息图 概念：板间的耦合模式可以通过选择点亮VCSEL实现动态指配。 C. G. Fonstad, 5/03 Lecture- Slide 3 25 OEIC的应用:散射光断层摄影术 “观测皮肤下的：肿瘤、血管、骨骼等” 内窥芯片: 将探测器和发射器交织集成在一起的OEIC芯片 使用: 注意：近红外光在软体组织中被强烈反射，只有微弱吸收。 处理：依次点亮每个VCSEL，探测器阵列将每个散射图案记录下来。利用这些信息， 可以构造出表面以下结构的图像。 C. G. Fonstad, 5/03 Lecture- Slide 4 25 理解Si和GaAs在热膨胀系数上的显著差异 15°C下直径都为150 mm* (6 in)的Si和GaAs晶片： 如果温度上升到100°C GaAs晶片比 Si晶片大了70 μm！ •如果两个晶片结合在一起，应力将足够大到有破坏作用（例如损坏）。 •如果两个晶片没用结合，它们上面的图案将严重失配。 -并且 - 100°C的变化还算比较小，500°C的变化更典型。 *在工业规范里面，Si的标准尺寸为200 mm (8 in)，现在with 300