光电子与微电子器件及集成重点专项2018年项目申报指引.PDF

附件 2 “光电子与微电子器件及集成”重点专项 2018 年度项目申报指南 为落实 《国家中长期科学和技术发展规划纲要 （2006—2020 年）》提出的任务，国家重点研发计划启动实施“光电子与微电子 器件及集成”重点专项。根据本重点专项实施方案的部署，现提出 2018年度项目申报指南。 本重点专项总体目标是：发展信息传输、处理与感知的光电 子与微电子集成芯片、器件与模块技术，构建全链条光电子与微 电子器件研发体系，推动信息领域中的核心芯片与器件研发取得 重大突破，改变我国网络信息领域中的核心元器件受制于人的被 动局面，支撑通信网络、高性能计算、物联网与智慧城市等应用 领域的自主可控发展，满足国家发展战略需求。 本重点专项按照硅基光子集成技术、混合光子集成技术、微 波光子集成技术、集成电路与系统芯片、集成电路设计方法学和 器件工艺技术6个创新链 （技术方向），共部署49个重点研究任 务。专项实施周期为 5年 （2018—2022年）。 2018年，在6个技术方向启动26个研究任务，拟支持35—52 个 项目，拟安排国拨经费总概算为6.5亿元。凡企业牵头的项目须自 筹配套经费，配套经费总额与国拨经费总额比例不低于1:1。 1 — — 项目申报统一按指南二级标题（如1.1）的研究方向进行。除 特殊说明外，拟支持项目数均为1—2 项。项目实施周期不超过4 年。申报项目的研究内容须涵盖该二级标题下指南所列的全部内 容和考核指标。基础前沿类、共性关键技术类项目的参研单位总 数不超过10个，应用示范类项目的参研单位总数不超过15个。 项目设1名项目负责人，项目中每个课题设1名课题负责人。 指南中“拟支持项目数为1—2 项”是指：在同一研究任务下， 当出现申报项目评审结果前两位评分相近、技术路线明显不同的 情况时，将同时支持这2 个项目。2 个项目将采取分两个阶段支 持的方式。第一阶段完成后将对2个项目执行情况进行评估，根 据评估结果确定后续支持方式。 1. 硅基光子集成技术 1.1 硅基发光基础理论及器件关键技术 （基础前沿类） 研究内容：开展硅基高效发光材料的设计、制备和器件研制， 解决硅基光子集成技术中缺乏硅基光源这一瓶颈问题。研究硅基 掺杂与缺陷调控及高效发光机理；研究硅基纳米结构高效发光材 料与器件；研究硅基稀土掺杂/缺陷电致发光材料及器件；研究锗 锡Ⅳ族直接带隙发光材料能带调控和相关器件；硅衬底上Ⅲ-Ⅴ族 等化合物半导体材料的外延生长和激光器。 考核指标：突破硅基高效发光材料和器件难题，研制出硅衬 2 — — 底上的多种激光器。设计和实现基于能带工程、掺杂工程、缺陷 工程的2 种以上新结构高效硅基发光材料；硅基纳米结构高效发 光器件能量转移效率65%，外量子效率10%；研制的硅基稀土 掺杂/缺陷电致发光器件800小时效率衰减小于25%；制备出具有 直接带隙的锗锡发光材料，实现光泵和电泵激射；研制出硅衬底 上Ⅲ-Ⅴ族等化合物半导体激光器，实现室温连续激射，阈值电流 2 密度100A/cm ，输出光功率达到mW 量级。申请发明专利20项 以上。 1.2 Tb/s级光传输用光电子器件及集成 （共性关键技术类， 拟支持两项） 研究内容：研究1Tb/s 级相干光调制芯片、相干光接收芯片 和相干光模块技术，包括高消光比的偏振旋转与偏振分合束技术、 高速调制器、波分复用器、高精度90度混频技术、宽带探测器 阵列集成技术；研制光调制和接收芯片的封装和模块，包括高速 驱动电路与硅基相干光调制芯片的集成技术、高速TIA 等集成电 路与硅基相干光接收芯片的集成技术、相干光通信模块功能测试 分析、ESD 防护性能和可靠性评估技术。研究微米量级电光调制 器的结构和机理，包括电场和光场的相互作用增强机制、新型高 效电光调制方法、超小型高速电光调制器的制备工艺开发及测试 等。 3