快擦写存储器结构和机理.PDFVIP

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2018-12-30 发布于湖北
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快擦写存储器结构和机理.PDF

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20 6 JOU RNAL OF NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY Vol. 20 No. 6 1998 X 常春喜　王保恒 ( 410073) , , , , TP333 Structures and Mechanisms of Flash Memory Chang ChunxiWang Baoheng ( Department of Computer NUDT Changsha, , , 410073) Abstract The paper discusses thetypical cell structureof flash memory an dits principle of infor- mation storage. In a ition, the organizations an dworking mechanisms of the NOR an dNAND flash memory matrices, which are widely applie dat present, are detailed. Key words memory cell information storage principle NOR memory matrix NAND meory, , , matrix. (flash) ,1983 Intel , 1988 flash EPROM EEPROM , EPROM , EPROM , EEPROM EEPROM 10 1Flash EPROM , EG , CG, FG , CG flash , , , , , , FG , , ( 5 ), 0FG , V ( 2V), 1, FG , 0, FG , 1( F G , 1) CG , 1, 0 X 1998 3 4 : , , 1966 , 38 1998 6 1 (a), EPROM SIMOS ( stacked-gate Injection MOS) , ( ) CG FG ETOX EPROM Tunnel OXide MOS 25nm , FG P-Si , 10nm , ( ) , 16Mb flash , CG FG 20 , F G - 10 0.8 nm P Si nm Lm 1Flash : 0, S CG D ( 1220V), , , CG , , FG , , FG , , (7V), 0 : 1, S (1220V) , CG , D , S F G F-N FG , (2V ), 1, ( ) FG , Fowler-Nordheim (F-N) , , S FG FG FG , , , , N AN D , , 1 ( ) , 10 b