Cu掺杂ATiO2电子结构和光学性质的第一性原理研究.docVIP

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  • 2019-01-04 发布于广东
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Cu掺杂ATiO2电子结构和光学性质的第一性原理研究.doc

Cu掺杂ATiO2电子结构和光学性质的第一性原理研究.doc

Cu掺杂A-TiO2电子结构和光学性质的 第一性原理研究 潘凤春林雪玲高华王旭明赵雪陈焕铭 宁夏大学物理与电子电气工程学院 利用棊于密度泛函理论的第一性原理计算研宄丫 Cu掺杂的A-TiO2的电子结构和 光学性质.结果丧明,p型Cu掺榮会在禁带中引入榮质能级,同时杂质能级的数 H随着掺杂Cu原子的增加而增多.由于杂质能级的出现,掺杂体系的禁带宽度 变宽但有效禁带宽度降低,电子从低能级向高能级跃迁所需的光子能量变小, 掺杂体系吸收谱的吸收峰发生明显的红移.掺杂体系在可见光区(680nm处)出 现新的吸收峰,当Cu原子掺杂摩尔分数为4. 17%时,八-1402对可见光的净吸收 最优,可有效提升A-Ti02光催化剂的性能.可为制备高效的打02半导体光催化材 料研宄提供参考. 关键词: 第一性原理计算;Cu掺杂;T102;电子结构;光学性质; 潘凤春(1980—),男,讲师,博士研究生,主要从事计算材料科学 研宄,(电子信箱)HYPERLINK mailto:nxupfc@163.comnxupfc@163.com. 林雪玲(1982—),女,副教授,博士,主要从事计算材料科学研究, (电子信箱)nxulxl@163. com. 2017-07-20 基金:宁夏自然科学基金资助项FI (NZ17039) The First-Principles Calculations Stud

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