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* 对于孤立原子的一个能级 Enl 按照泡里不相容原理,最多能容纳 2(2 l +1)个电子。 在形成固体后,这一能级分裂成 由 N 条能级组成 的能带了,它最多能容纳的电子数为 2N(2l+1)个。 例如,对孤立原子的1S、2S能级,在形成固体后相应 地成为两个能带。它们最多能容纳的电子数为 2N个。 对孤立原子的 2P、3P能级, 在形成固体后也相应地 成为两个能带。它们最多能容纳的电子数为 6N个。 电子排布时还得按照能量最小原理 从最低的能级排起。 * 孤立原子的最外层电子能级可能填满了电子也可能未填满了电子。若原来填满电子的, 在形成固体时,其相应的能带也填满了电子。 若孤立原子中较高的电子能级上没有电子, 在形成固体时,其相应的能带上也没有电子。 若原来未填满电子的, 在形成固体时,其相应的能带也未填满电子。 孤立原子的内层电子能级一般都是填满的, 在形成固体时,其相应的能带也填满了电子。 * 排满电子的能带称为满带; 排了电子但未排满的称为未满带(或导带); 未排电子的称为空带; (有时也称为导带); 两个能带之间的禁带是不能排电子的。 * §8.4 导体和绝缘体 (conductor .insulator) 它们的导电性能不同, 是因为它们的能带结构不同。 晶体按导电性能的高低可以分为 导体 半导体 绝缘体 * 导体 导体 导体 半导体 绝缘体 ?Eg ?Eg ?Eg * 在外电场的作用下,大量共有化电子很 易获得能量,集体定向流动形成电流。 从能级图上来看,是因为其共有化电子 很易从低能级跃迁到高能级上去。 E 导体 * 从能级图上来看,是因为满带与空带之间 有一个较宽的禁带(?Eg 约3~6 eV), 共有化电子很难从低能级(满带)跃迁到 高能级(空带)上去。 在外电场的作用下,共有化电子很难接 受外电场的能量,所以形不成电流。 的能带结构,满带与空带之间也是禁带, 但是禁带很窄(?E g 约0.1~2 eV )。 绝缘体 半导体 * 绝缘体与半导体的击穿 当外电场非常强时,它们的共有化电子还是 能越过禁带跃迁到上面的空带中的。 绝缘体 半导体 导体 * * 前言 第 八 章 晶体的能带结构 从STM得到的硅晶体 表面的原子结构图 物理学前言之一 材料的性质 大规模集成电路 半导体激光器 超导 人工微结构 * §8.1 晶体的能带 一. 电子共有化 晶体具有大量分子、原子或离子有规则 排列的点阵结构。 电子受到周期性势场的作用。 a 按量子力学须解定态薛定格方程。 * 解定态薛定格方程(略), 可以得出两点重要结论: 1.电子的能量是分立的能级; 2.电子的运动有隧道效应。 原子的外层电子(高能级), 势垒穿透概率 较大, 电子可以在整个晶体中运动, 称为 共有化电子。 原子的内层电子与原子核结合较紧,一般 不是 共有化电子。 * 二. 能带 (energy band) 量子力学计算表明,晶体中若有N个 原子,由于各原子间的相互作用,对应于 原来孤立原子的每一个能级,在晶体中变 成了N条靠得很近的能级,称为能带。 晶体中的电子能级 有什么特点? * 能带的宽度记作?E ,数量级为 ?E~eV。 若N~1023,则能带中两能级的间距约10-23eV。 一般规律: 1. 越是外层电子,能带越宽,?E越大。 2. 点阵间距越小,能带越宽,?E越大。 3. 两个能带有可能重叠。 * 离子间距 a 2P 2S 1S E 0 能带重叠示意图 * 三 . 能带中电子的排布 晶体中的一个电子只能处在某个能带中的 某一能级上。 排布原则: 1. 服从泡里不相容原理(费米子) 2. 服从能量最小原理 设孤立原子的一个能级 Enl ,它最多能容纳 2 (2 +1)个电子。 这一能级分裂成由 N条能级组成的能带后, 能带最多能容纳 2N(2l +1)个电子。 * 电子排布时,应从最低的能级排起。 有关能带被占据情况的几个名词: 1.满带(排满电子) 2.价带(能带中一部分能级排满电子) ? 亦称导带 3.空带(未排电子) ? 亦称导带 4.禁带(不能排电子) 2p、3p能带,最多容纳 6N个电子。 例如,1s、2s能带,最多容纳 2N个电子。 2N(2l+1) * 一. 布洛赫定理 一个在周期场中运动的电子的波函数应 具有哪些基本特点? 在量子力学建立以后,布洛赫(F.Bloch)
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