基于GaSb的热光伏电池薄膜材料与器件的研究-物理电子专业论文.docxVIP

南开大学学位论文使用授权书 本人完全了解《南开大学关于研究生学位论文收藏和利用管理办法》关于南开大学(简 称“学校”)研究生学位论文收藏和利用的管理规定，同意向南开大学提交本人的学位论文 电子版及相应的纸质本，并委托印刷存档论文。 本人了解南开大学拥有在《中华人民共和国著作权法》规定范围内的学位论文使用权， 同意在以下几方面向学校授权。即： 1.学校将学位论文编入《南开大学博硕士学位论文全文数据库》，并作为资料在学校图 书馆等场所提供阅览，在校园网上提供论文目录检索、文摘以及论文全文浏览、下载等信息 服务； 2.学校可以采用影印、缩印或其他复制手段保存学位论文；学校根据规定向教育部指定 的收藏和存档单位提交学位论文； 3.非公开学位论文在解密后的使用权同公开论文。 4.同意学校将本人向有关电子出版单位授权的学位论文(含电子版和授权书)转交相关 授权单位。 本人承诺：本人的学位论文是在南开大学学习期间创作完成的作品，并已通过论文答辩； 提交的学位论文电子版与纸质本论文的内容一致，如因不同造成不良后果由本人自负。 本人签署本授权书一份，交图书馆留存。 学位论文作者暨授权人(亲笔)签字： 20 年 月 日 南开大学研究生学位论文作者信息 论 文 题 目 基于 GaSb 的热光伏电池薄膜材料与器件的研究 姓 名 吴限量 学号 2120120221 答 辩 日 期 2015 年 5 月 22 日 论 文 类 别 博士 □ 学历硕士√ 专业学位硕士 □ 同等学力硕士 □ 划 √ 选择 学院(单位) 电子信息与光学工程 学科/专业(专业学位)名称 联 系 电 话电 子 邮 箱 HYPERLINK mailto:wuxianliang77777@126.com wuxianliang77777@126.com 通信地址(邮编)： 天津市南开区卫津路 94 号（300071） 非 公 开 论 文 编 号 备 注 注：本授权书适用我校授予的所有博士、硕士的学位论文。由作者填写一份并签字后交校图书馆，如已批准为非公开学 位论文，须附批准通过的《南开大学研究生申请非公开学位论文审批表》和“非公开学位论文标注说明”页。 摘要 热光伏电池技术是一种新型的光电转换技术，它是一种将热辐射能转换为 电能的技术，目前热光伏电池具有很广泛的应用，它具有转换效率高、携带方 便、输出功率高、噪音小等诸多优点，成为太阳电池之后又一项光伏技术。 本文选取 GaSb 薄膜作为主要研究内容，采用真空蒸发镀膜的方法生长 GaSb 薄膜，并设计和研究与 GaSb 相关的热光伏电池结构。本文的主要研究内容如下： 1. 使用双源共蒸发技术制备 GaSb 薄膜，通过 XRD 测得 GaSb 薄膜具有（111） 择优生长取向，晶格常数为 0.609nm，晶粒尺寸可达到 61.40nm，晶粒尺寸 随着薄膜厚度的增大而增大。优化后的最佳工艺参数为衬底温度 520℃，Ga 源温度为 850℃，Sb 源温度为 460℃，在薄膜厚度约为 1um 时 GaSb 薄膜载 流子浓度为最高可达到 7.1×1018/cm3，霍尔迁移率最高可达到 70.71cm2/V?S。 GaSb 薄膜呈现弱 P 型导电性质。 2. 用三源共蒸发制备 N 型 GaSb 薄膜，通过 XRD 分析证明使用三元共蒸发法 制备掺杂 Te 元素的 GaSb 薄膜中 Te 优于 Sb 与 Ga 元素形成 GaTe 物质，Te 源温度越高 Te 含量越大，通过霍尔测试发现制备的薄膜虽然是 N 型导电类 型，但电阻率较大，载流子浓度较低，较难作为理想的 N 型材料构成 PN 结结构。 3. GaSb/CdS 结构热光伏电池器件设计，在 P 型 GaSb 薄膜上，采用化学水浴 法生长约 50nm 厚的 CdS 作为窗口层，此结构用 AFORS-HET 软件进行模 拟仿真，根据软件模拟可以得知，吸收层 GaSb 的缺陷态密度以及 GaSb 与 CdS 之间的界面态密度是影响电池性能的重要因素。当 GaSb 缺陷态增加时， 电池效率明显下降。而作为窗口层的 CdS 缺陷态密度对电池性能影响不明 显，当 CdS 缺陷态密度上升 4 个数量级时，电池效率仅下降 0.11%。 4. GaSb/c-Si 结构热光伏电池器件设计，此方法在单晶硅片上生长 GaSb 薄膜， AFORS-HET 仿真结果表明，在 GaSb 缺陷态密度为 1018cm-3 时，电池效率 为 5.961%。实验证明，在生长 GaSb 之前沉积 30nmSb 单质的缓冲层，并在、 采用 550℃真空退火，有助于提高电池效率，最终制备出电池效率为 0.84%。 关键词：热光伏电池、锑化镓、共蒸发 Ⅰ Abstract Thermal photovo