硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流发光性能研究.pdfVIP

物理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．21(2014) 217806 硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温 变电流发光性能的研究冰 黄斌斌 熊传兵t 张超宇 黄基锋 王光绪 汤英文 全知觉 徐龙权 张萌 王立 方文卿 刘军林 江风益 (南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心，南昌 330047) (2014年7月7日收31；2014年7月22日收到修改稿) 本文将硅 (Si)衬底上外延生长的氮化镓 (GaN)基发光二极管 (LED)薄膜剥离转移到新的硅基板和紫铜 基板上，并获得了垂直结构的LED芯片，对其变温变 电流 电致发光 (EL)特性进行了研究．结果表明：当环境 温度不变时，在13K低温状态下铜基板芯片的EL波长始终大于硅基板芯片约6nm，在300K状态下随着驱 动电流的加大铜基板芯片的EL波长会 由大于硅基板芯片3nm左右而逐渐变为与硅基板芯片重合；当驱动 电 流不变时，环境温度 由13K升高到320K，两种基板芯片的EL波长随温度升高呈现S形变化并且波谱逐渐趋 于重合：在100K以下温度时铜基板芯片的Droop效应 比硅基板芯片明显，在100K 以上温度时硅基板芯片 的Droop效应比铜基板芯片明显．可能是由于两种芯片的基板具有不同的热膨胀系数和热导率导致了其变温 变 电流的EL特性不同． 关键词：GaN，热膨胀系数，内量子效率，热导率 PACS：78．60．Fi，78．66．Fd，68．65．电，62．40．+i DOI：10．7498／aps．63．217806 管 目前铜基板和硅基板的GaN薄膜型LED芯片均 1 引 言 己实现商品化 0【-5】，然而当GaN基LED薄膜处在 不同基板上时其光电性能与基板的热膨胀系数和 目前，GaN发光二极管芯片有三条技术路线 热导率之间的关联性研究尽然还是空 白，人们还不 可 以实现，它们分别是：蓝宝石、碳化硅和硅衬底 清楚当同一结构的LED薄膜转移到何种特性的基 技术路线，其中蓝宝石衬底技术路线的市场 占有率 板上时，其性能最佳． 最大，碳化硅衬底技术路线市场 占有率居 中，硅衬 本文将外延结构相 同的硅衬底GaN基LED薄 底技术路线市场 占有率最小，但它起步最晚、研究 膜分别转移到硅基板和紫铜基板上，获得了垂直结 最热、进步最快 [，引．GaN基LED芯片具有多种结 构芯片，并对两种芯片的变温变 电流的发光特性进 构形式，其中最主要的三种结构形式为：外延薄膜 行了一定研究． 不剥离转移的同侧电极结构和倒装焊结构芯片，以 及LED薄膜从外延衬底剥离转移到新的支撑基板 上的薄膜型结构芯片．将硅衬底上外延的GaN基 2 实 验 LED薄膜压焊转移到新的基板上不但可 以释放外 延膜的张应力而且可 以避免硅衬底对可见光的吸 实验所用 的硅衬底GaN基外延片是在英 国 收，所 以实用化的硅衬底LED芯片均是采用LED ThomansSwan6片MOCVD系统上外延生长的， 薄膜剥离转移技术所获得的垂直结构芯片 [3，．尽 生长方法 已有报道 [。，]实验时，同一外延片分成两 国家 自然科学基金 (批准号11364034，61