基于015μmpHEMT的超宽带低噪声放大器-微电子学.PDF

第 卷 第 期 微 电 子 学 , 47 4 Vol.47 No.4 年 月 2017 8 Microelectronics Au.2017 g 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 基于0.15 m HEMT的超宽带低噪声放大器 μ p , 张 会 钱国明 ( , ) 南京邮电大学 电子科学与工程学院 南京 210003 : 、 , 摘 要 采用 负反馈 源极电感负反馈等方法 设计并制作了一种基于 技术的 RC MMIC 3~ , 。 超宽带低噪声放大器 在超宽带范围内实现了优良的回波损耗和平坦的高增益 采用 15GHz , , 0.15 mGaAs HEMT工艺进行设计 该放大器的芯片尺寸为 2mm×1mm 直流功耗为 μ p 。 , , , 200mW 在片测试结果表明 带内增益高达28dB4~12GHz带宽范围内的噪声系数低于2dB / , 。 ,, 输入 输出回波损耗大于15dB测试结果与仿真结果十分吻合 该低噪声放大器可应用于SC , 、 。 XKu波段外差接收机以及毫米波 亚毫米波接收机的中频模块 : ; ; ; 关键词 赝同晶高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 单片微波集成电路 超宽带 中图分类号: ; 文献标识码: 文章编号: ( ) TN386 TN722.3 A 1004-3365201704-0478-05 AnUltraWideband0.15 m HEMTLowNoiseAm lifier μ p p , ZHANGHuiQIANGuoming ( , ,