螺旋波等离子体化学气相沉积纳米硅薄膜的光学发射谱研究!-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 - - %- - ， ， ， A;4 )- N; )- O36 %- （ ） $1/%(I%-I- - I%/(1- J@KJ ?,L*M@J *MNM@J #%- @8+= ) ?86P ) *; ) 螺旋波等离子体化学气相沉积纳米硅 薄膜的光学发射谱研究! ! 于 威 王保柱 杨彦斌 路万兵 傅广生 （河北大学物理科学与技术学院，保定 #$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） % ’ % % ( %# 利用光学发射谱技术对螺旋波等离子体化学气相沉积纳米硅薄膜的等离子体内活性粒子的光发射特征进行 了原位测量 研究了薄膜沉积过程中各实验参量对活性基团 ! ， 以及 的发射谱强度的影响 实验结果表 ) *+, , , ) ! 明，静态磁场的加入可显著提高反应气体的解离效率；适当的氢稀释可以提高氢活性粒子的浓度，而过高的氢稀释 比将使含硅活性基团浓度显著减小；提高射频馈入功率整体上可以使各活性粒子的浓度增加，并有利于提高到达 衬底表面氢活性粒子的相对比例 结合螺旋波等离子体色散关系和等离子体特点对以上结果进行了分析 该结果 ) ) 为螺旋波等离子体沉积纳米硅薄膜过程的理解及制备工艺参数的调整提供了基础数据) 关键词：光学发射谱，螺旋波等离子体化学气相沉积，纳米硅薄膜 ： ， !## ’$$-, -%#-. ［］ ( 沉积 由于等离子体化学气相沉积技术制备薄膜 ) $ 引 言 的微观过程本身十分复杂，对薄膜制备中的等离子 体进行原位测量，研究反应气体辉光放电过程中的 纳米硅（ ）薄膜因较高的电导率和室温可见 内在物理过程，弄清各种活性粒子的浓度的变化规 =1*+ 发光等特殊性能，在电子发射、单电子隧穿及 基 律，对于实现硅基薄膜的低温优质沉积以及结构控 *+ 发光等器件方面具有巨大的应用潜力 该材料的制 制有着十分重要的意义)