第五章+存储器(201510)..pptVIP

本章主要内容 微型机的存储系统、分类及其特点 半导体存储芯片的外部特性及其与系统的连接 存储器扩展技术 5.1 概 述 内容： 存储器的分类及其特点 存储器的性能指标 半导体存储器的基本概念 两类半导体存储器的主要区别 二、存储器的主要性能指标 存储容量：存储单元个数M×每单元位数N 存取时间：从启动读(写)操作到操作完成的时间 存取周期：两次独立的存储器操作所需间隔的 最小时间 功耗： 动态功耗、静态功耗 可靠性： 平均故障间隔时间MTBF 5.2 半导体存储器 半导体存储器芯片的结构-典型的RAM的示意图 (1) 存储体 一个基本存储电路只能存储一个二进制位。 将基本的存储电路有规则地组织起来，就是存储体。 (2) 外围控制电路 地址译码器、I/O电路、片选控制端CS 、输出缓冲器等 5.3存储器扩充方法 位扩展 存储器芯片的存储容量等于M × N ： 单元数M（=2K） × 每单元的位数N 当构成内存的存储芯片的字长 内存单元的字长时，就要进行位扩展，使每个单元的字长满足要求。 8088/8086的内存单元的字长=8/16。 位扩展方法总结： 位扩展方法： 将每片的地址线、控制线并联，数据线分别引出。 位扩展特点： 存储器的单元数不变，位数增加。 字扩展 特点: 地址空间的扩展。芯片每个单元中的字长满足，但单元数不满足。 扩展原则： 每个芯片的地址线、数据线、控制线并联，仅片选端分别引出，以实现每个芯片占据不同的地址范围。 字扩展例 用两片1KB=1K×8位=210 ×8位的SRAM芯片构成容量为2KB=2K×8位的存储器 字位扩展 根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数； 进行位扩展以满足字长要求； 进行字扩展以满足容量要求。 若已有存储芯片的容量为L×K，要构成容量为M ×N的存储器，需要的芯片数为： (M ×N) / (L×K) =（M / L） ×（N / K） 例: 某半导体存储器总容量4Kⅹ8。其中固化区2K字节，选用EPROM芯片2716（2Kⅹ8）；工作区2K字节，选用SRAM芯片2114（1Kⅹ4）。 解： 先确定所需芯片数：固化区2Kⅹ8，需2716一块；工作区2Kⅹ8，2块2114拼接为一组容量为1Kⅹ8，需2组，共4块2114。见下图。 CPU与M连接时的几点考虑： 1 CPU总线时序与M的读写时序 高速CPU与低速M间的速度若不匹配，应在CPU访问M的周期内插入等待脉冲TW。下面仅考虑两者匹配。 2 CPU总线的负载能力 系统总线一般能带1~几个TTL负载。系统总线需驱动隔离时，DB要双向驱动，AB与CB则单向驱动，驱动器的输出连至M或其他电路。下面仅考虑不需驱动。 3．M结构的选定 CPU的DB有8、16、32、64位等几类，相应M的结构分为单体、2体、4体、8体等。CPU与M连接时，M是单体结构还是多体结构。下面先仅考虑两者D相等。 4．片选信号（片外）及片内地址产生机制 由于M芯片的容量是有限的，微机中M的总容量一般远大于M芯片的容量，因此，M往往由多片M芯片组成，在CPU与M芯片之间必须设有片选择译码电路，一般由CPU的高位地址译码产生片选，而低位地址送给存储器芯片的地址输入端，以提供存储芯片内部的行、列地址。 译码电路 作用: 将输入的一组二进制编码变换为一个特定的控制信号，即：将输入的一组高位地址信号通过变换，产生一个有效的控制信号，用于选中某一个存储器芯片，从而确定该存储器芯片在内存中的地址范围。 组成: 它可用普通的逻辑芯片或专门的译码器实现。 存储器地址译码方法: 根据存储器的片选信号译码 （1）线选法: 从高位选择几条地址线 （2）全译码法: 高位全部参加译码 （3）部分译码: 高位地址线部分参加译码 全地址译码例 6264芯片的地址范围： A19~A13 A12~A0 A19~A13 A12~A0 111100000……0 ~ 111100011……1 = F0000 H ~ F1FFF H 部分地址译码例 同一物理存储器占用两组地址： F0000H~F1FFFH B0000H~B1FFFH A18不参与译码（ A18=1/0=x） 使用译码器的应用举例 将SRAM 6264芯片与系统连接，使其地址范围为：38000H~39FFFH和78000H~79FFFH。 选择使用74LS138译码器