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大师高级课程系列之 静电放电（ESD）和电过载（EOS）: 器件、电路和系统 - 从先进技术到未来技术 Electrostatic Discharge (ESD) and Electrical Overstress (EOS): Devices, Circuits and Systems –From Advanced to Future Technologies 2018 年11 月05 日–06 日 | 上海 一、为什么参加： 随着技术从微电子技术扩展到纳米电子学，静电放电（ESD）和电过载（EOS）继续影响半导体制造、 半导体元件、元器件封装和系统。本课程从组件和系统的角度讲授故障分析、测试和设计，介绍静 电放电（ESD）和电过载（EOS）的基本原理。本教程提供了ESD 和EOS 现象、测试、电路设计和设 计策略的清晰图像。本教程将介绍半导体芯片封装测试和设计方面的进展。 本次课程内容涵盖了: • 静电放电（ESD）和电过应力（EOS）的基础知识，从物理学、时间尺度、安全工作区域（SOA） 到现象的物理模型； • 半导体器件、电路和系统中的ESD 和EOS 故障，讨论组件和封装的故障分析技术和工具； • 讨论静电放电（ESD）模型和测试（例如人体模型（HBM）、带电设备模型（CDM）、电缆放电事 件（CDM），带电电路板事件（CBE））到系统级IEC 61000-4 -2 测试事件）以及随着系统的发展它 们如何变化； • ESD design of ESD circuitry for receivers, I/O, ESD power clamps for digital, analog, mixed signal, and radio frequency (RF) circuitry; • 用于接收器、I / O、数字、模拟、混合信号和射频（RF）电路的 ESD 设计; • ESD 设计版图和用于ESD 电路设计的自动化设计工具； • 展示混合信号EOS 中的ESD 设计和EMC 故障分析扫描方法以及当前的重建技术和未来的2-D， 2.5-D 和3-D ESD 和EOS 设计问题和策略。 Electrostatic Discharge (ESD) and Electrical Overstress (EOS) continue to impact semiconductor manufacturing, semiconductor components, component packages, and systems as technologies scale from microelectronics to nanoelectronics. This course teaches the fundamentals of electrostatic discharge (ESD) and electrical overstress(EOS), from a failure analysis, testing, and design in components and systems perspective. The 咨询电话：021 -5109 6090 course provides a clear picture of ESD and EOS phenomena, testing, circuit design, and design strategies. The course will address advancements in testing and design on semiconductor chips, and packages. The course provides extensive coverage on: • Fundamentals of electrostatic discharge (ESD) and electrical overstress (EOS), from physics, time scales, safe operating area (SOA), to physical models for phenomena; • ESD and EOS failures in both semiconductor devi