第三章双极宏晶体管.pptVIP

微电子器件与IC设计 第 3 章 双极晶体管 Bipolar Junction Transistor----BJT 第 3 章 双极型晶体管 3.1 结构 3.2 放大原理 3.3 电流增益 3.4 特性参数 3.5 直流伏安特性 3.6 开关特性 3.7 小结 3.1 晶体管的基本结构及杂质分布 3.1.1晶体管的基本结构 由两个靠得很近的背靠背的PN结构成 3.1 晶体管的基本结构及杂质分布 3.1.2 BJT的杂质分布 1.锗合金管-均匀基区晶体管 特点： 三个区杂质均匀分布 2结为突变结 2.硅平面管-缓变基区晶体管 特点： E、B区杂质非均匀分布 2结为缓变结 3.1 晶体管的基本结构及杂质分布 “背靠背”的2个二极管有放大作用吗？ 3.1.3、结构特点 （1）基区宽度远小于基区少子扩散长度 (WB L) （2）发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度 ( NE NB ) 3.2.1、晶体管中载流子的传输 以共基极为例： 1、发射结的注入 2、基区的输运与复合 3、集电极的收集 3.2.2、发射效率及基区输运系数 1、发射效率γ0 2、基区输运系数β* 3、集电区倍增因子 3.2.3、晶体管电流放大系数 1.共基极直流电流放大系数 2.共射极直流电流放大系数 晶体管放大三要素： 3.3 晶体管的直流电流增益 任务：导出α0、β0的定量关系式 3.3.1 均匀基区晶体管的电流增益 均匀基区晶体管直流电流增益推导思路 A、对发射区、基区、集电区分别建立扩散方程 B、利用波尔兹曼分布关系建立边界条件 C、解扩散方程得到各区少子分布函数 D、利用少子分布函数求出各区电流密度分布函数 E、由电流密度分布函数得到jne , jnc , jpe 。 F、求出发射效率和输运系数 G、得到共基极和共射极电流放大系数 以共基极连接为例，采用一维理想模型 发射结正向偏置，集电结反向偏置 坐标： 一、少数载流子分布 （1）基区“少子”电子密度分布 3.3 晶体管的直流电流增益 一、少数载流子分布 （2）发射区少数载流子分布 3.3 晶体管的直流电流增益 一、少数载流子分布 （3）、集电区少数载流子分布 3.3 晶体管的直流电流增益 二、电流密度分布函数 3.3 晶体管的直流电流增益 3.3 晶体管的直流电流增益 3.3 晶体管的直流电流增益 三、直流电流增益 1.发射效率γ0 3.3 晶体管的直流电流增益 3、共基极电流增益 4、共射极电流增益 3.3 晶体管的直流电流增益 3.3.2 缓变基区晶体管的电流增益 一、缓变基区晶体管基区自建电场 3.3 晶体管的直流电流增益 （1）基区自建电场计算公式 （2）基区杂质分布指数近似 二、发射区自建电场 3.3 晶体管的直流电流增益 3.3 晶体管的直流电流增益 3.3 晶体管的直流电流增益 四、电流增益 （1）发射效率 3.3 晶体管的直流电流增益 （2）输运系数 3.3 晶体管的直流电流增益 （3）共基极电流增益 3.3 晶体管的直流电流增益 3.3.3 提高放大系数的途径 1、减小基区宽度 2、提高发射区的杂质浓度与基区杂质浓度比NE/NB↑ 3、提高基区电场因子 4、提高基区“少子”寿命 3.3.4影响电流放大系数的因素 4. 基区宽变效应 共射极输出特性曲线上 VBC ＝0 点的切线与 VCE 轴负方向交于一点，该点电压称为Early电压， 3.4.2 晶体管的反向电流 一、定义 晶体管某二个电极间加反向电压，另一电极开路时流过管中的电流称其反向电流。 1、IEBO：集电极极开路，发射极与基极间反偏，流过发射结的电流。 2、ICBO：发射极开路，集电极和基极间反偏，流过集电结的电流。 3、ICEO：基极开路，发射极和集电极间反偏，流过发射极和集电极的电流。 二、反向电流的来源 实际的晶体管反向电流应包括反向扩散电流，势垒产生电流和表面漏电流。 对Ge管：主要是反向扩散电流 对Si管：主要是势垒产生电流，表面电流视工艺而定 3.4.4 基极电阻 输出特性曲线 3.6 晶体管的开关特性 一、晶体管的工作状态 晶体管的工作状态完全由直流偏置情况决定，如图可分为三个区。当晶体管处于倒向运用状态时，也同样存在以上三个区，但截止区和饱和区是一样的。只注意反向放大区即可。 各工作区中结的偏置情况和电流关系 在放大电路中，晶